替代AON7242應(yīng)用平衡車(chē)p溝道m(xù)os管工藝
AON7242VV MOSFET 是一個(gè)商業(yè)化功率 MOSFET，VV MOSFET 是利用 V 型槽來(lái)實(shí)現(xiàn)垂直導(dǎo)電，當(dāng) Vgs 大于 0 時(shí)，在 V 型槽外壁與硅表面接觸的地方形成一個(gè)電場(chǎng)，P 區(qū)時(shí) N+區(qū)域的電子受到吸引，當(dāng) Vgs 足夠大時(shí)，就會(huì)形成 N 型導(dǎo)電溝道，使漏、源極之間有電流流過(guò)；VV MOSFET 特點(diǎn)：VV MOSFET 不僅繼承了 LD MOSFET 輸入阻抗高、驅(qū)動(dòng)電流小、還具有耐壓高（高可耐壓 1200V）、工作電流大（1.5A~100A）、跨導(dǎo)線性好、開(kāi)關(guān)速度快等優(yōu)良特性；但因 VV MOSFET 是利用各向異性原理濕法腐蝕形成溝槽結(jié)構(gòu)，其工藝穩(wěn)定性不佳且存在端放電的問(wèn)題，所以目前使用較少。 VV MOSFET 主要應(yīng)用在電壓放大器、功率放大器、開(kāi)關(guān)電源和逆變器中。
AON7242微電子封裝的范圍涉及從半導(dǎo)體芯片到整機(jī)，在這些系統(tǒng)中，生產(chǎn)電子設(shè)備包括 6 個(gè)層次，也即裝配的 6 個(gè)階段。我們從電子封裝工程的角度，按習(xí)慣一般稱層次 1 為零級(jí)封裝；層次2 為一級(jí)封裝；層次 3 為二級(jí)封裝；層次 4、5、6 為三級(jí)封裝。

替代AON7242常見(jiàn)問(wèn)題
AON7242皆振失效：功率MOS管并聯(lián)而不插入柵極電阻但直接連接時(shí)發(fā)生的柵極寄生振蕩。
漏源電壓在高速下反復(fù)接通和斷開(kāi)時(shí)，這種寄生振蕩發(fā)生在由柵極漏極電容Cgd(Crss)和柵極pin電感Lg構(gòu)成的諧振電路中。
建立共振條件（ωL=1/ωC)時(shí)，在柵極和源極之間施加遠(yuǎn)大于驅(qū)動(dòng)電壓Vgs(in)的振動(dòng)電壓，柵極因超過(guò)柵極源額定電壓而損壞，漏源電壓開(kāi)關(guān)時(shí)的振動(dòng)電壓通過(guò)柵極漏極電容器Cgd和Vgs的重疊波形產(chǎn)生正反饋，可能引起故障引起振蕩破壞。
皆振失效預(yù)防措施：且力可以抑制由于阻尼引起的振蕩。然而，將一個(gè)小電阻串聯(lián)到柵極上并不能解決振蕩阻尼問(wèn)題，主要原因是驅(qū)動(dòng)電路的阻抗匹配和功率管開(kāi)關(guān)時(shí)間的周整。


例

鋰電池保護(hù)板做充放電開(kāi)關(guān)使用

一般情況下，MOS都處于開(kāi)或關(guān)的狀態(tài)，不用考慮MOS的開(kāi)關(guān)速度，會(huì)在整體電路上設(shè)計(jì)了快速關(guān)閉回路。
要注意以下幾個(gè)點(diǎn)：
1，注意DS電壓，設(shè)計(jì)選型留有足夠的余量。按照1.5倍MOS管的BVDDS
2，注意工作電流與保護(hù)電流，經(jīng)驗(yàn)值是3~4倍以上為MOS的ID(DC) 。
3，多顆MOS并聯(lián)，電流的余量盡量再大一點(diǎn)。
4，走大電流的方案，要綜合考慮封裝散熱，內(nèi)阻。
5，驅(qū)動(dòng)電壓要了解，盡量使MOS工作在*開(kāi)啟狀態(tài)，對(duì)于單片機(jī)驅(qū)動(dòng)的方案，盡量推薦低開(kāi)啟的MOS。
另外在選用MOS管時(shí)要注意溝道類型，BVDDS ，ID導(dǎo)通電流，VGS(th)，RDSON這幾項(xiàng)參數(shù)。

公司介紹
華鎂公司，為一家專業(yè)功率半導(dǎo)體組件(MOSFET)和集成電路芯片的設(shè)計(jì)公司。憑借著堅(jiān)實(shí)的產(chǎn)品開(kāi)發(fā)、營(yíng)銷(xiāo)業(yè)務(wù)及營(yíng)運(yùn)團(tuán)隊(duì)。提供性能優(yōu)異、高信賴性、高性價(jià)比的產(chǎn)品及滿足客戶需求的服務(wù)，已獲得眾多客戶于其節(jié)能電子產(chǎn)品中的廣泛使用。目前華鎂可提供的功率半導(dǎo)體元器件產(chǎn)品(12V~1200V)和集成電路芯片（鋰電保護(hù)和控制驅(qū)動(dòng)芯片），產(chǎn)品應(yīng)用范圍含蓋計(jì)算機(jī)(個(gè)人計(jì)算機(jī)與服務(wù)器)、電源供應(yīng)器、通訊電子產(chǎn)品、手持式電子裝置、消費(fèi)性產(chǎn)品及工業(yè)應(yīng)用產(chǎn)品等。
華鎂整個(gè)團(tuán)隊(duì)秉持著“成就客戶、努力奮斗、持續(xù)學(xué)習(xí)、進(jìn)取創(chuàng)新、誠(chéng)信正直、團(tuán)隊(duì)合作”理念，并已累積15年以上的產(chǎn)品開(kāi)發(fā)經(jīng)驗(yàn)及50余個(gè)。
華鎂研發(fā)總部設(shè)在中國(guó)臺(tái)灣新竹科學(xué)工業(yè)園區(qū)（302 新竹縣竹北市），國(guó)內(nèi)研發(fā)和應(yīng)用總部位于張家港市和蕪湖市，國(guó)內(nèi)市場(chǎng)主要以成品及Wafer銷(xiāo)售和配套服務(wù)為主。

替代AON7242應(yīng)用平衡車(chē)p溝道m(xù)os管封裝
AON7242封裝內(nèi)部的互連技術(shù)
AON7242TO、D-PAK、SOT、SOP等采用焊線式的內(nèi)部互連封裝技術(shù)，當(dāng)CPU或GPU供電發(fā)展到低電壓、大電流時(shí)代，焊線式的SO-8封裝就受到了封裝電阻、封裝電感、PN結(jié)到PCB和外殼熱阻等因素的限制。



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