替代6080K應(yīng)用13串n溝道m(xù)os管工藝
6080K前道生產(chǎn)主要指晶圓制造，包括光刻、等離子體刻蝕、離子注入、離子擴(kuò)散、氧化、蒸發(fā)、氣相外延生長(zhǎng)、濺射和化學(xué)氣相淀積等復(fù)雜的加工步驟. 這些加工步驟的目的是主要在硅片上創(chuàng)作出一個(gè)個(gè)具有完整功能的晶粒. 每個(gè)晶粒的電性能，由探針臺(tái)與自動(dòng)測(cè)試設(shè)備搭建的晶圓測(cè)試平臺(tái)進(jìn)行驗(yàn)證. 不能通過(guò)測(cè)試的晶粒，會(huì)被點(diǎn)上墨點(diǎn)，作為不合格的標(biāo)記. 在后道生產(chǎn)中會(huì)識(shí)別這些標(biāo)記，有墨點(diǎn)的晶粒不會(huì)被加工. 由于晶圓被稱(chēng)為Wafer 或者Die，對(duì)晶粒的測(cè)試也被稱(chēng)為Wafer Sorting 或Die Sorting。
6080KMOS器件工藝流程：鋁柵N型溝道MOS管制作工藝流程鋁柵N型溝道MOS管工藝流程，工藝流程中相應(yīng)結(jié)構(gòu)剖面。

替代6080K常見(jiàn)問(wèn)題
1、6080Kmos管小電流發(fā)熱的原因：
  1）電路設(shè)計(jì)的問(wèn)題：就是讓MOS管工作在線(xiàn)性的工作狀態(tài)，而不是在開(kāi)關(guān)狀態(tài)，這也是導(dǎo)致MOS管發(fā)熱的一個(gè)原因。
如果N-MOS做開(kāi)關(guān)，G級(jí)電壓要比電源高幾V，才能*導(dǎo)通，P-MOS則相反。沒(méi)有*打開(kāi)而壓降過(guò)大造成功率消耗，等效直流阻抗比較大，壓降增大，所以U*I也增大，損耗就意味著發(fā)熱。這是設(shè)計(jì)電路的最忌諱的錯(cuò)誤。
  2）頻率太高：主要是有時(shí)過(guò)分追求體積，導(dǎo)致頻率提高，MOS管上的損耗增大了，所以發(fā)熱也加大了。
  3）沒(méi)有做好足夠的散熱設(shè)計(jì)：電流太高，MOS管標(biāo)稱(chēng)的電流值，一般需要良好的散熱才能達(dá)到。所以ID小于大電流，也可能發(fā)熱嚴(yán)重，需要足夠的輔助散熱片。
  4）6080KMOS管的選型有誤：對(duì)功率判斷有誤，MOS管內(nèi)阻沒(méi)有充分考慮，導(dǎo)致開(kāi)關(guān)阻抗增大。

2、6080Kmos管小電流發(fā)熱嚴(yán)重怎么解決：
做好MOS管的散熱設(shè)計(jì)，添加足夠多的輔助散熱片。
貼散熱膠。

3、6080KMOS管為什么可以防止電源反接？
電源反接，會(huì)給電路造成損壞，不過(guò)，電源反接是不可避免的。所以，我們就需要給電路中加入保護(hù)電路，達(dá)到即使接反電源，也不會(huì)損壞的目的。
一般可以使用在電源的正極串入一個(gè)二極管解決，不過(guò)，由于二極管有壓降，會(huì)給電路造成不必要的損耗，尤其是電池供電場(chǎng)合，本來(lái)電池電壓就3.7V，你就用二極管降了0.6V，使得電池使用時(shí)間大減。
MOS管防反接，好處就是壓降小，小到幾乎可以忽略不計(jì)?，F(xiàn)在的MOS管可以做到幾個(gè)毫歐的內(nèi)阻，假設(shè)是6.5毫歐，通過(guò)的電流為1A（這個(gè)電流已經(jīng)很大了），在他上面的壓降只有6.5毫伏。
由于MOS管越來(lái)越便宜，所以人們逐漸開(kāi)始使用MOS管防電源反接了。

4、電池保護(hù)板MOS管放電過(guò)程中燒壞的原因
6080KMOS管燒壞的情況在焊接過(guò)程中有短路現(xiàn)象，放電過(guò)程中MOS管沒(méi)有*打開(kāi)，處于關(guān)閉或半打開(kāi)狀態(tài)，PCBA內(nèi)阻變大，長(zhǎng)時(shí)間大電流放電，發(fā)熱燒壞、燒糊。
生產(chǎn)組裝過(guò)程有靜電殘留，或在充放電過(guò)程中有外部異常電流／大電壓充放電過(guò)程導(dǎo)致MOS管被損壞、燒糊。
保護(hù)板MOS管燒壞處理方法：建議在焊接串線(xiàn)過(guò)程時(shí)先焊B4-線(xiàn)（因?yàn)榭拷麭2串的R19短路的風(fēng)險(xiǎn)大）然后在焊接B2串，這樣可以規(guī)避B2和B4短路引起的不良。
6080KMOS管燒壞防護(hù)措施：生產(chǎn)過(guò)程各環(huán)節(jié)做好ESD防護(hù)工作，焊接過(guò)程中特別是帶電崗位防止觸碰元器件或線(xiàn)路，建議在焊接串線(xiàn)過(guò)程中先焊B4再焊B2線(xiàn)。

5、超過(guò)GS或DS耐壓造成MOS擊穿
設(shè)計(jì)時(shí)要對(duì)GS和DS的耐壓有足夠的余量。不要太靠近臨界值，否則在實(shí)際應(yīng)用中，電壓的波動(dòng)或者溫度的變化可能會(huì)使電壓超過(guò)耐壓值而損壞MOS。

6、持續(xù)大電流造成熱擊穿
長(zhǎng)時(shí)間的大電流，例如D8540NX一直以33A持續(xù)過(guò)電流，芯片的內(nèi)核會(huì)逐漸升溫到170度以上，芯片的內(nèi)核即可能會(huì)被擊穿。

7、瞬間高壓
尤其是配合電機(jī)使用時(shí)，當(dāng)電機(jī)突然停止時(shí)，會(huì)產(chǎn)生瞬時(shí)的反向電壓，如果續(xù)流二極管不夠大，則可能會(huì)損傷MOS。

8、6080K瞬間短路電流
當(dāng)短路瞬間電流超過(guò)了MOS的IDM，如果持續(xù)時(shí)間超過(guò)前述表9的邊界范圍，則有可能導(dǎo)致MOS瞬間擊穿。

9、6080KESD影響
冬天尤其要注意，ESD高發(fā)時(shí)，Ciss電容越小，越容易受到ESD的影響。

10、高頻開(kāi)關(guān)損耗過(guò)大
高頻開(kāi)關(guān)，尤其是調(diào)速或無(wú)刷應(yīng)用時(shí)，MOS處于高頻開(kāi)關(guān)狀態(tài)，如果驅(qū)動(dòng)和MOS的開(kāi)關(guān)速度沒(méi)有配合好，導(dǎo)致開(kāi)關(guān)損耗過(guò)大，也同樣容易使MOS升溫導(dǎo)致?lián)p壞。

11、6080KGS驅(qū)動(dòng)電壓不匹配
對(duì)于高開(kāi)啟的MOS，卻使用5V，甚至3.3V的電源來(lái)驅(qū)動(dòng)，或者驅(qū)動(dòng)電阻分壓不當(dāng)，例如滿(mǎn)電時(shí)GS分壓為10V，但接近空電時(shí)只有5V左右的電壓，導(dǎo)致MOS開(kāi)啟不*，內(nèi)阻成倍增加，通過(guò)電流時(shí)會(huì)快速產(chǎn)生熱量導(dǎo)致MOS燒壞。

12、6080KMOS 損壞主要原因：

過(guò)流 ---------- 持續(xù)大電流或瞬間超大電流引起的結(jié)溫過(guò)高而燒毀；

過(guò)壓 ---------- 源漏過(guò)壓擊穿、源柵極過(guò)壓擊穿；

靜電 ---------- 靜電擊穿，CMOS 電路都怕靜電；


例

鋰電池保護(hù)板做充放電開(kāi)關(guān)使用

一般情況下，MOS都處于開(kāi)或關(guān)的狀態(tài)，不用考慮MOS的開(kāi)關(guān)速度，會(huì)在整體電路上設(shè)計(jì)了快速關(guān)閉回路。
要注意以下幾個(gè)點(diǎn)：
1，注意DS電壓，設(shè)計(jì)選型留有足夠的余量。按照1.5倍MOS管的BVDDS
2，注意工作電流與保護(hù)電流，經(jīng)驗(yàn)值是3~4倍以上為MOS的ID(DC) 。
3，多顆MOS并聯(lián)，電流的余量盡量再大一點(diǎn)。
4，走大電流的方案，要綜合考慮封裝散熱，內(nèi)阻。
5，驅(qū)動(dòng)電壓要了解，盡量使MOS工作在*開(kāi)啟狀態(tài)，對(duì)于單片機(jī)驅(qū)動(dòng)的方案，盡量推薦低開(kāi)啟的MOS。
另外在選用MOS管時(shí)要注意溝道類(lèi)型，BVDDS ，ID導(dǎo)通電流，VGS(th)，RDSON這幾項(xiàng)參數(shù)。

公司介紹
華鎂公司，為一家專(zhuān)業(yè)功率半導(dǎo)體組件(MOSFET)和集成電路芯片的設(shè)計(jì)公司。憑借著堅(jiān)實(shí)的產(chǎn)品開(kāi)發(fā)、營(yíng)銷(xiāo)業(yè)務(wù)及營(yíng)運(yùn)團(tuán)隊(duì)。提供性能優(yōu)異、高信賴(lài)性、高性?xún)r(jià)比的產(chǎn)品及滿(mǎn)足客戶(hù)需求的服務(wù)，已獲得眾多客戶(hù)于其節(jié)能電子產(chǎn)品中的廣泛使用。目前華鎂可提供的功率半導(dǎo)體元器件產(chǎn)品(12V~1200V)和集成電路芯片（鋰電保護(hù)和控制驅(qū)動(dòng)芯片），產(chǎn)品應(yīng)用范圍含蓋計(jì)算機(jī)(個(gè)人計(jì)算機(jī)與服務(wù)器)、電源供應(yīng)器、通訊電子產(chǎn)品、手持式電子裝置、消費(fèi)性產(chǎn)品及工業(yè)應(yīng)用產(chǎn)品等。
華鎂整個(gè)團(tuán)隊(duì)秉持著“成就客戶(hù)、努力奮斗、持續(xù)學(xué)習(xí)、進(jìn)取創(chuàng)新、誠(chéng)信正直、團(tuán)隊(duì)合作”理念，并已累積15年以上的產(chǎn)品開(kāi)發(fā)經(jīng)驗(yàn)及50余個(gè)。
華鎂研發(fā)總部設(shè)在中國(guó)臺(tái)灣新竹科學(xué)工業(yè)園區(qū)（302 新竹縣竹北市），國(guó)內(nèi)研發(fā)和應(yīng)用總部位于張家港市和蕪湖市，國(guó)內(nèi)市場(chǎng)主要以成品及Wafer銷(xiāo)售和配套服務(wù)為主。

替代6080K應(yīng)用13串n溝道m(xù)os管封裝
6080KTO封裝產(chǎn)品外觀(guān)
6080KTO252/D-PAK是一種塑封貼片封裝，常用于功率晶體管、穩(wěn)壓芯片的封裝，是目前主流封裝之一。
6080K采用該封裝方式的MOSFET有3個(gè)電極，柵極（G）、漏極（D）、源極（S）。
6080K其中漏極（D）的引腳被剪斷不用，而是使用背面的散熱板作漏極（D），直接焊接在PCB上，一方面用于輸出大電流，一方面通過(guò)PCB散熱；所以PCB的D-PAK焊盤(pán)有三處，漏極（D）焊盤(pán)較大。
6080KTO-252/D-PAK封裝尺寸規(guī)格
6080KTO-263是TO-220的一個(gè)變種，主要是為了提高生產(chǎn)效率和散熱而設(shè)計(jì)，支持*的電流和電壓，在150A以下、30V以上的中壓大電流MOS管中較為多見(jiàn)。
6080K除了D2PAK（TO-263AB）之外，還包括TO263-2、TO263-3、TO263-5、TO263-7等樣式，與TO-263為從屬關(guān)系，主要是引出腳數(shù)量和距離不同。



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