代換FDD6030半導(dǎo)體-蘇州華鎂封裝
FDD6030采用的深溝道硅(trench silicon)MOSFET工藝，還能顯著降低傳導(dǎo)、開(kāi)關(guān)和柵極電荷損耗；并能兼容多種控制器，可實(shí)現(xiàn)不同的工作模式，支持主動(dòng)相變換模式APS（Auto Phase Switching）。
FDD6030除了QFN封裝外，雙邊扁平無(wú)引腳封裝（DFN）也是一種新的電子封裝工藝，在安森美的各種元器件中得到了廣泛采用，與QFN相比，DFN少了兩邊的引出電極。
FDD6030除了外部封裝，基于電子制造對(duì)MOS管的需求的變化，內(nèi)部封裝技術(shù)也在不斷得到改進(jìn)，這主要從三個(gè)方面進(jìn)行：改進(jìn)封裝內(nèi)部的互連技術(shù)、增加漏極散熱板、改變散熱的熱傳導(dǎo)方向。

代換FDD6030常見(jiàn)問(wèn)題
1、FDD6030mos管小電流發(fā)熱的原因：
  1）電路設(shè)計(jì)的問(wèn)題：就是讓MOS管工作在線性的工作狀態(tài)，而不是在開(kāi)關(guān)狀態(tài)，這也是導(dǎo)致MOS管發(fā)熱的一個(gè)原因。
如果N-MOS做開(kāi)關(guān)，G級(jí)電壓要比電源高幾V，才能*導(dǎo)通，P-MOS則相反。沒(méi)有*打開(kāi)而壓降過(guò)大造成功率消耗，等效直流阻抗比較大，壓降增大，所以U*I也增大，損耗就意味著發(fā)熱。這是設(shè)計(jì)電路的最忌諱的錯(cuò)誤。
  2）頻率太高：主要是有時(shí)過(guò)分追求體積，導(dǎo)致頻率提高，MOS管上的損耗增大了，所以發(fā)熱也加大了。
  3）沒(méi)有做好足夠的散熱設(shè)計(jì)：電流太高，MOS管標(biāo)稱的電流值，一般需要良好的散熱才能達(dá)到。所以ID小于大電流，也可能發(fā)熱嚴(yán)重，需要足夠的輔助散熱片。
  4）FDD6030MOS管的選型有誤：對(duì)功率判斷有誤，MOS管內(nèi)阻沒(méi)有充分考慮，導(dǎo)致開(kāi)關(guān)阻抗增大。

2、FDD6030mos管小電流發(fā)熱嚴(yán)重怎么解決：
做好MOS管的散熱設(shè)計(jì)，添加足夠多的輔助散熱片。
貼散熱膠。

3、FDD6030MOS管為什么可以防止電源反接？
電源反接，會(huì)給電路造成損壞，不過(guò)，電源反接是不可避免的。所以，我們就需要給電路中加入保護(hù)電路，達(dá)到即使接反電源，也不會(huì)損壞的目的。
一般可以使用在電源的正極串入一個(gè)二極管解決，不過(guò)，由于二極管有壓降，會(huì)給電路造成不必要的損耗，尤其是電池供電場(chǎng)合，本來(lái)電池電壓就3.7V，你就用二極管降了0.6V，使得電池使用時(shí)間大減。
MOS管防反接，好處就是壓降小，小到幾乎可以忽略不計(jì)?，F(xiàn)在的MOS管可以做到幾個(gè)毫歐的內(nèi)阻，假設(shè)是6.5毫歐，通過(guò)的電流為1A（這個(gè)電流已經(jīng)很大了），在他上面的壓降只有6.5毫伏。
由于MOS管越來(lái)越便宜，所以人們逐漸開(kāi)始使用MOS管防電源反接了。

4、電池保護(hù)板MOS管放電過(guò)程中燒壞的原因
FDD6030MOS管燒壞的情況在焊接過(guò)程中有短路現(xiàn)象，放電過(guò)程中MOS管沒(méi)有*打開(kāi)，處于關(guān)閉或半打開(kāi)狀態(tài)，PCBA內(nèi)阻變大，長(zhǎng)時(shí)間大電流放電，發(fā)熱燒壞、燒糊。
生產(chǎn)組裝過(guò)程有靜電殘留，或在充放電過(guò)程中有外部異常電流／大電壓充放電過(guò)程導(dǎo)致MOS管被損壞、燒糊。
保護(hù)板MOS管燒壞處理方法：建議在焊接串線過(guò)程時(shí)先焊B4-線（因?yàn)榭拷麭2串的R19短路的風(fēng)險(xiǎn)大）然后在焊接B2串，這樣可以規(guī)避B2和B4短路引起的不良。
FDD6030MOS管燒壞防護(hù)措施：生產(chǎn)過(guò)程各環(huán)節(jié)做好ESD防護(hù)工作，焊接過(guò)程中特別是帶電崗位防止觸碰元器件或線路，建議在焊接串線過(guò)程中先焊B4再焊B2線。

5、超過(guò)GS或DS耐壓造成MOS擊穿
設(shè)計(jì)時(shí)要對(duì)GS和DS的耐壓有足夠的余量。不要太靠近臨界值，否則在實(shí)際應(yīng)用中，電壓的波動(dòng)或者溫度的變化可能會(huì)使電壓超過(guò)耐壓值而損壞MOS。

6、持續(xù)大電流造成熱擊穿
長(zhǎng)時(shí)間的大電流，例如D8540NX一直以33A持續(xù)過(guò)電流，芯片的內(nèi)核會(huì)逐漸升溫到170度以上，芯片的內(nèi)核即可能會(huì)被擊穿。

7、瞬間高壓
尤其是配合電機(jī)使用時(shí)，當(dāng)電機(jī)突然停止時(shí)，會(huì)產(chǎn)生瞬時(shí)的反向電壓，如果續(xù)流二極管不夠大，則可能會(huì)損傷MOS。

8、FDD6030瞬間短路電流
當(dāng)短路瞬間電流超過(guò)了MOS的IDM，如果持續(xù)時(shí)間超過(guò)前述表9的邊界范圍，則有可能導(dǎo)致MOS瞬間擊穿。

9、FDD6030ESD影響
冬天尤其要注意，ESD高發(fā)時(shí)，Ciss電容越小，越容易受到ESD的影響。

10、高頻開(kāi)關(guān)損耗過(guò)大
高頻開(kāi)關(guān)，尤其是調(diào)速或無(wú)刷應(yīng)用時(shí)，MOS處于高頻開(kāi)關(guān)狀態(tài)，如果驅(qū)動(dòng)和MOS的開(kāi)關(guān)速度沒(méi)有配合好，導(dǎo)致開(kāi)關(guān)損耗過(guò)大，也同樣容易使MOS升溫導(dǎo)致?lián)p壞。

11、FDD6030GS驅(qū)動(dòng)電壓不匹配
對(duì)于高開(kāi)啟的MOS，卻使用5V，甚至3.3V的電源來(lái)驅(qū)動(dòng)，或者驅(qū)動(dòng)電阻分壓不當(dāng)，例如滿電時(shí)GS分壓為10V，但接近空電時(shí)只有5V左右的電壓，導(dǎo)致MOS開(kāi)啟不*，內(nèi)阻成倍增加，通過(guò)電流時(shí)會(huì)快速產(chǎn)生熱量導(dǎo)致MOS燒壞。

12、FDD6030MOS 損壞主要原因：

過(guò)流 ---------- 持續(xù)大電流或瞬間超大電流引起的結(jié)溫過(guò)高而燒毀；

過(guò)壓 ---------- 源漏過(guò)壓擊穿、源柵極過(guò)壓擊穿；

靜電 ---------- 靜電擊穿，CMOS 電路都怕靜電；

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