代換APM3055應(yīng)用消費(fèi)類電子碳化硅mos管封裝
APM3055封裝內(nèi)部的互連技術(shù)
APM3055 TO、D-PAK、SOT、SOP等采用焊線式的內(nèi)部互連封裝技術(shù)，當(dāng)CPU或GPU供電發(fā)展到低電壓、大電流時(shí)代，焊線式的SO-8封裝就受到了封裝電阻、封裝電感、PN結(jié)到PCB和外殼熱阻等因素的限制。

代換APM3055常見問題
APM3055OA失效（電流失效）：導(dǎo)體光放大器（SOA)失效是指在電源工作過程中，由于MOS管上同時(shí)疊加了異常大的電流和電壓而引起的損傷模式。或者，芯片、散熱器和封裝不能時(shí)達(dá)到熱平衡，導(dǎo)致熱量積聚，并且連續(xù)熱產(chǎn)生導(dǎo)致溫度超過由于熱擊穿模式而導(dǎo)致的氧化物層的極限。
OA失效的預(yù)防措施：確保在最壞的情況下，MOS管的所有功率限制都在SOA限制線之內(nèi)；OCP功能必須精確、詳細(xì)。
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