代換AP20N15GHmos晶體管封裝
AP20N15GH四邊無(wú)引線扁平封裝（QFN）
AP20N15GHQFN（Quad Flat Non-leaded package）封裝四邊配置有電極接點(diǎn)，由于無(wú)引線，貼裝表現(xiàn)出面積比QFP小、高度比QFP低的特點(diǎn)；其中陶瓷QFN也稱為L(zhǎng)CC（Leadless Chip Carriers），采用玻璃環(huán)氧樹(shù)脂印刷基板基材的低成本塑料QFN則稱為塑料LCC、PCLC、P-LCC等。
AP20N15GH是一種焊盤(pán)尺寸小、體積小、以塑料作為密封材料的新興表面貼裝芯片封裝技術(shù)。
AP20N15GHQFN主要用于集成電路封裝，MOSFET不會(huì)采用。不過(guò)因Intel提出整合驅(qū)動(dòng)與MOSFET方案，而推出了采用QFN-56封裝（“56”指芯片背面有56個(gè)連接Pin）的DrMOS。
AP20N15GH需要說(shuō)明的是，QFN封裝與超薄小外形封裝(TSSOP)具有相同的外引線配置，而其尺寸卻比TSSOP的小62%。根據(jù)QFN建模數(shù)據(jù)，其熱性能比TSSOP封裝提高了55%，電性能(電感和電容)比TSSOP封裝分別提高了60%和30%。大的缺點(diǎn)則是返修難度高。
AP20N15GH采用QFN-56封裝的DrMOS
AP20N15GH隨著技術(shù)的革新與進(jìn)步，把驅(qū)動(dòng)器和MOSFET整合在一起，構(gòu)建多芯片模塊已經(jīng)成為了現(xiàn)實(shí)，這種整合方式同時(shí)可以節(jié)省相當(dāng)可觀的空間從而提升功耗密度，通過(guò)對(duì)驅(qū)動(dòng)器和MOS管的優(yōu)化提高電能效率和優(yōu)質(zhì)DC電流，這就是整合驅(qū)動(dòng)IC的DrMOS。

代換AP20N15GH常見(jiàn)問(wèn)題
AP20N15GH本二級(jí)管故障：不同的拓?fù)浜碗娐分?，MOS管具有不同的作用。例如，在LLC中，體二極管的速度也是影響MOS管可靠性的一個(gè)重要因素。由于二極管本身是寄生參數(shù)，因此很難區(qū)分漏源體二極管故障和漏源電壓故障。二極管故障的解決方案主要是通過(guò)結(jié)合自身電路來(lái)分析。

需要了解更多關(guān)于代換AP20N15GH半導(dǎo)體-蘇州華鎂信息，請(qǐng)聯(lián)系我們的客戶經(jīng)理！
華鎂用“芯”為您服務(wù)-代換AP20N15GH半導(dǎo)體-蘇州華鎂