高真空基礎In-line Sputter設備,其核心優(yōu)勢如下:
高生產(chǎn)率:
該設備的一個完整生產(chǎn)周期僅需220~360秒,具體時間可能因產(chǎn)品而異。
工藝優(yōu)化與品質提升:
我們對Sputter工藝進行了全面優(yōu)化,從而顯著提升了產(chǎn)品的品質。
引入了Plasma Clean Sputter Plasma Cleaning工藝,有效增強了產(chǎn)品表面的附著力,進一步提升了產(chǎn)品品質。
精密儀器與設備耐用性:
設備采用了精密的儀器安裝工藝,確保了設備的穩(wěn)定運行。
設備具有出色的耐用性,維護周期長,且維護費用低廉。
自主研發(fā)材料:
我們采用了自主研發(fā)的材料,相比其他公司的材料,我們的材料價格更為低廉。
使用自主研發(fā)的材料,我們成功提升了產(chǎn)品的品質,同時提高了生產(chǎn)效率,并優(yōu)化了Arching等控制功能。
綜上所述,這款高真空基礎In-line Sputter設備以其高生產(chǎn)率、優(yōu)化的工藝、精密的儀器安裝、出色的設備耐用性、低廉的維護費用以及自主研發(fā)的高品質材料,為相關行業(yè)提供了顯著的優(yōu)勢和價值。
Chamber & Door | ∮800 * 1500, 2 Door, STS(SUS)304 |
Pumping System | * RP + MBP + D/P * Cryo cooled polycold unit |
Cooling Devices | * Cooling Traps for Pumping Unit * Cooling Chiller for Cathode |
Power Supply | * DC Power (Sn, AL, NI, SUS, Sputter) * Cooling Chiller for Cathode |
Control Unit | PLC, Touch Screen |
Cycle Time | 4.5~6.5min (根據(jù)產(chǎn)品可能有所不同) |