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深硅刻蝕機
深硅刻蝕機PSE V300主要用于12英寸深硅刻蝕，同時兼具Bosch/Non-Bosch工藝，實現(xiàn)多工藝領(lǐng)域覆蓋。該機臺針對Bosch循環(huán)工藝方式采用專業(yè)先進(jìn)...
型號： PSE V300 所在地：深圳市參考價：面議更新時間：2025/6/6 14:59:45 對比

深硅刻蝕機 PSE V300
深硅刻蝕機
深硅刻蝕機HSE P300主要用于12英寸硅刻蝕。采用Cluster結(jié)構(gòu)布局，能夠減小占地，提升產(chǎn)能。系統(tǒng)主要由傳輸模塊、工藝模塊、灰區(qū)部件、電源柜等組成。可實...
型號： HSE系列所在地：深圳市參考價：面議更新時間：2025/6/6 14:57:46 對比

HSE 深硅刻蝕機北方華創(chuàng)
等離子刻蝕集群系統(tǒng)
SENTECH 集群系統(tǒng)包括等離子體蝕刻和/或沉積模塊、一個轉(zhuǎn)移室和一個真空負(fù)載鎖或盒式站。包括搬運機器人在內(nèi)的轉(zhuǎn)移室有三到六個端口。最多可以使用兩個盒式磁帶站...
型號： SENTECH 集... 所在地：德國參考價：面議更新時間：2025/6/6 9:46:34 對比

刻蝕沉積真空室集群系統(tǒng)
AL實時監(jiān)控器
SENTECH AL 實時監(jiān)測器是一種經(jīng)過驗證的光學(xué)診斷工具，可實現(xiàn)單個 ALD 和 ALE 周期的超高分辨率。主要應(yīng)用是在不破壞真空的情況下分析薄膜特性（生長...
型號： SENTECH A... 所在地：德國參考價：面議更新時間：2025/6/6 9:33:06 對比

ALD 實時監(jiān)控
RIE等離子刻蝕系統(tǒng)
SENTECH SI 500 CCP 系統(tǒng)使用動態(tài)溫度控制和氦背冷卻，代表了材料蝕刻靈活性的優(yōu)勢。等離子體蝕刻過程中的襯底溫度設(shè)置和穩(wěn)定性是高質(zhì)量蝕刻的嚴(yán)格標(biāo)準(zhǔn)...
型號： SENTECH S... 所在地：德國參考價：面議更新時間：2025/6/6 9:17:58 對比

RIE 刻蝕 SENTECH
等離子刻蝕系統(tǒng)RIE
SENTECH SI 591 緊湊型 RIE 等離子蝕刻系統(tǒng)具有負(fù)載鎖定功能，是氯基和氟基 RIE 的緊湊型解決方案。
型號： SENTECH S... 所在地：德國參考價：面議更新時間：2025/6/6 9:02:20 對比

RIE 等離子刻蝕 SENTECH
RIE等離子蝕刻系統(tǒng)
SENTECH Etchlab 200 RIE等離子蝕刻系統(tǒng)代表了一系列直接加載等離子體蝕刻系統(tǒng)，結(jié)合了RIE平行板電極設(shè)計的優(yōu)點和直接負(fù)載的成本效益設(shè)計。
型號： SENTECH E... 所在地：德國參考價：面議更新時間：2025/6/6 8:54:22 對比

RIE SENTECH 刻蝕
低溫ICP-RIE等離子體刻蝕系統(tǒng)
SENTECH SI 500 C 低溫 ICP-RIE 等離子體蝕刻系統(tǒng)代表了電感耦合等離子體（ICP）處理的前沿技術(shù)，其最寬溫度范圍為 -150 ...
型號： SENTECH S... 所在地：德國參考價：面議更新時間：2025/6/6 8:47:43 對比

低溫 SENTECH 刻蝕
反應(yīng)性離子刻蝕系統(tǒng)RIE
PlasmaPro 800系列是結(jié)構(gòu)緊湊、且使用方便的直開式系統(tǒng)，該系統(tǒng)為大批量晶圓和300mm晶圓上的反應(yīng)離子蝕刻（RIE）工藝提供了靈活的解決方案。大尺寸的...
型號： PlasmaPro... 所在地：英國參考價：面議更新時間：2025/6/6 8:07:34 對比

RIE 牛津刻蝕大尺寸
反應(yīng)性離子刻蝕系統(tǒng)RIE
PlasmaPro 80是一種結(jié)構(gòu)緊湊、小尺寸且使用方便的直開式系統(tǒng)，可以提供多種刻蝕和沉積的解決方案。它易于放置，便于使用，且能確保工藝性能。直開式設(shè)計可實...
型號： PlasmaPro... 所在地：深圳市參考價：面議更新時間：2025/6/6 7:47:48 對比

牛津刻蝕 RIE
單晶圓刻蝕系統(tǒng)
憑借在蝕刻GaN，SiC和藍(lán)寶石等材料方面的豐富經(jīng)驗，我們的技術(shù)既能夠滿足性價比的要求、又能使器件的性能得到更優(yōu)化。PlasmaPro 100 Polaris單...
型號： PlasmaPro... 所在地：英國參考價：面議更新時間：2025/6/6 7:27:42 對比

刻蝕堅硬材料刻蝕
電感耦合等離子體刻蝕
PlasmaPro 100 Cobra ICP RIE系統(tǒng)利用高密度電感耦合等離子體實現(xiàn)快速刻蝕速率。該工藝模塊可提供出色的均勻性、高吞吐量、高精度和低損傷工藝...
型號： PlasmaPro... 所在地：英國參考價：面議更新時間：2025/6/6 7:25:56 對比

ICP 刻蝕
離子束刻蝕機
EIS-1500是由ELIONIX研發(fā)的108mm的大直徑光束，通過充分利用光束面內(nèi)分布監(jiān)控功能，可以實現(xiàn)各向異性干法蝕刻的離子束刻蝕機。
型號： EIS-1500 所在地：日本參考價：面議更新時間：2025/6/6 7:21:41 對比

半導(dǎo)體前道刻蝕
離子束刻蝕機
EIS-200ERP是由ELIONIX研發(fā)的離子束刻蝕機，緊湊和高性能，使用 ECR 離子束可以進(jìn)行納米蝕刻和沉積，制品特微。
型號： EIS-200ER... 所在地：日本參考價：面議更新時間：2025/6/6 7:18:17 對比

半導(dǎo)體前道刻蝕
緊透尺寸檢測系統(tǒng)
可靠、快速和可重復(fù)的手動和自動檢測基于VoidInspect的自動氣泡計算易于使用的動態(tài)增強過濾功能，例如eHDR使用micro3Dslice和FF CT軟件的...
型號： Cougar EV... 所在地：深圳市參考價：面議更新時間：2025/6/5 21:51:43 對比

SMT檢測晶圓檢測半導(dǎo)體檢測
8英寸電感耦合等離子體-深硅刻蝕設(shè)備
Pishow® D 系列深刻蝕設(shè)備，是針對8英寸~6英寸產(chǎn)線或科研深硅刻蝕工藝的專用設(shè)備，擁有自主開發(fā)的優(yōu)化設(shè)計，保證了優(yōu)異的刻蝕精度控制和損傷控制。...
型號： Pishow... 所在地：徐州市參考價：面議更新時間：2025/6/5 21:29:54 對比

深硅刻蝕
8英寸金屬刻蝕設(shè)備
Kessel™ Pishow® M 金屬刻蝕設(shè)備為可用于8英寸的IC產(chǎn)線鋁金屬工藝的量產(chǎn)型機臺，基于自有開發(fā)的優(yōu)化設(shè)計，保證了優(yōu)異的刻蝕均...
型號： Kessel... 所在地：徐州市參考價：面議更新時間：2025/6/5 21:25:35 對比

金屬刻蝕
8英寸硅刻蝕設(shè)備
Tebaank® Pishow® P 硅刻蝕設(shè)備是面向8英寸集成電路制造的量產(chǎn)型設(shè)備設(shè)備由電感耦合等離子體刻蝕腔（ICP etch cham...
型號： Tebaank&#... 所在地：徐州市參考價：面議更新時間：2025/6/5 21:24:03 對比

深硅刻蝕
12英寸金屬刻蝕設(shè)備
Herent® Chimera® M 金屬刻蝕設(shè)備，為針對12英寸IC產(chǎn)業(yè)0.18微米以下后道高密度鋁導(dǎo)線互連工藝所開發(fā)的專用產(chǎn)品，同時也...
型號： Herent... 所在地：徐州市參考價：面議更新時間：2025/6/5 21:22:06 對比

金屬刻蝕
12英寸硬掩膜刻蝕設(shè)備
Herent® Chimera® A 金屬硬掩膜刻蝕設(shè)備，為針對 12 英寸 IC 產(chǎn)業(yè)的后道銅互連中氮化鈦（TiN）金屬硬掩膜刻蝕（met...
型號： Herent... 所在地：徐州市參考價：面議更新時間：2025/6/5 21:19:45 對比

離子束刻蝕

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