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等離子體（ICP）刻蝕設備
RIE-230iP是以電感耦合等離子體為放電方式，等離子體（ICP）刻蝕設備高速進行各種材料的超精細加工的負載鎖定型ICP蝕刻系統(tǒng)。該系統(tǒng)通過采用龍卷風式線圈電...
型號： RIE-230iP 所在地：國外參考價：面議更新時間：2025/6/5 13:53:29 對比

等離子體（ICP）刻蝕設備 RIE-230iP SAMCO
等離子體（ICP）刻蝕設備
RIE-230iPC是以電感耦合等離子體為放電方式，高速進行各種材料的超精細加工的盒式ICP蝕刻系統(tǒng)。該系統(tǒng)通過采用龍卷風式線圈電，高效地產(chǎn)生穩(wěn)定的高密度等離子...
型號： RIE-230iP... 所在地：國外參考價：面議更新時間：2025/6/5 13:51:07 對比

RIE-230iPC 等離子體（ICP）刻蝕設備
等離子體（ICP）刻蝕設備
RIE-400iP是用于ø4 “晶圓的負載鎖定型蝕刻系統(tǒng)，等離子體（ICP）刻蝕設備可對各種半導體和絕緣膜進行高精度、高均勻性加工。采用龍卷風線圈的電...
型號： RIE-400iP 所在地：國外參考價：面議更新時間：2025/6/5 13:48:38 對比

等離子體（ICP）刻蝕設備 RIE-400iP SAMCO
等離子體（ICP）刻蝕設備
RIE-350iPC是一種盒式裝載電感耦合等離子體(ICP)蝕刻設備，可處理多達ø350毫米的載盤，用于多晶圓批量處理。該系統(tǒng)為各種蝕刻應用提供了堅固...
型號： RIE-350iP... 所在地：國外參考價：面議更新時間：2025/6/5 13:46:44 對比

等離子體（ICP）刻蝕設備 RIE-350iPC SAMCO
等離子體刻蝕設備
高密度等離子體刻蝕設備系統(tǒng)采用電感耦合等離子體作為放電形式。該系統(tǒng)配備了真空盒室，是一套完整的生產(chǎn)系統(tǒng)，具有優(yōu)良的工藝重復性和穩(wěn)定性。
型號： RIE-800iP... 所在地：國外參考價：面議更新時間：2025/6/5 13:44:47 對比

等離子體（ICP）刻蝕設備 SAMCO RIE-800iPC
深硅刻蝕設備
RIE-400iPB是一款電感耦合等離子體放電設備，用于博世MEMS和電子元件工藝中的高速硅深孔加工。RIE-800iPB是為研究和開發(fā)目的而改裝的。該系統(tǒng)由R...
型號： RIE-400iP... 所在地：國外參考價：面議更新時間：2025/6/5 13:42:34 對比

深硅刻蝕設備 RIE-400iPB SAMCO
電感耦合等離子體刻蝕設備
Samco 的 RIE-800iPB 是一種電感耦合等離子體刻蝕設備，使用高密度等離子體進行 MEMS 和 TSV 應用所需的深度硅蝕刻。RIE-800iPB是...
型號： RIE-800iP... 所在地：國外參考價：面議更新時間：2025/6/5 13:40:51 對比

深硅刻蝕設備 RIE-800iPB SAMCO
深硅刻蝕設備
RIE-800BCT是使用電感耦合等離子體作為放電形式的生產(chǎn)型硅DRIE系統(tǒng)。這種高性能系統(tǒng)能夠進行高縱橫比處理（超過100）和低扇形處理，同時保持高蝕刻率和選...
型號： RIE-800BC... 所在地：國外參考價：面議更新時間：2025/6/5 13:39:08 對比

深硅刻蝕設備 RIE-800BCT SAMCO
深硅刻蝕設備
RIE-802BCT深硅刻蝕設備是采用電感耦合等離子體作為放電形式的兩個反應室的量產(chǎn)用硅深孔系統(tǒng)。標準配置有空氣盒和晶圓邊緣保護環(huán)，以及高精度的晶圓對準器。該高...
型號： RIE-802BC... 所在地：國外參考價：面議更新時間：2025/6/5 13:36:39 對比

深硅刻蝕設備 RIE-802BCT SAMCO
芯片刻蝕機
ELEDE® 380系列芯片刻蝕機，優(yōu)良的等離子體發(fā)生裝置，適用多種材料刻蝕，工藝窗口寬。
型號： ELEDE... 所在地：北京市參考價：面議更新時間：2025/6/5 13:09:50 對比

芯片刻蝕機 ELEDE® 380系列北方華創(chuàng)
高密度刻蝕機
GDE C200系列高密度刻蝕機，等離子體源和頻率設計，等離子體密度高，適用于強鍵合材料刻蝕。
型號： GDE C200系... 所在地：北京市參考價：面議更新時間：2025/6/5 12:51:45 對比

GDE C200系列高密度刻蝕機北方華創(chuàng)
ICP 刻蝕機
NMC 508系列 ICP刻蝕機是電感耦合高密度等離子體（Inductively Coupled Plasma, ICP）干法刻蝕機，具有高精度、高選擇性和高效...
型號： NMC 508系列所在地：北京市參考價：面議更新時間：2025/6/5 12:50:11 對比

ICP刻蝕機 NMC 508系列北方華創(chuàng)
12英寸金屬刻蝕機
NMC 612G 12英寸金屬刻蝕機，可用于鋁、硅，氧化物、鉬、氧化銦錫等多種材料刻蝕。
型號： NMC 612G 所在地：北京市參考價：面議更新時間：2025/6/5 12:48:12 對比

12英寸金屬刻蝕機 NMC 612G 北方華創(chuàng)
CCP介質(zhì)刻蝕機
NMC 508系列 CCP介質(zhì)刻蝕機，多頻解耦設計，實現(xiàn)優(yōu)異的均勻性及高深寬比介質(zhì)刻蝕。
型號： NMC 508系列所在地：北京市參考價：面議更新時間：2025/6/5 12:29:43 對比

CCP介質(zhì)刻蝕機 NMC 508系列北方華創(chuàng)
多功能刻蝕機
GSE C200 多功能刻蝕機等離子體源設計，保證良好的刻蝕均勻性.GSE C200采用高密度等離子體源，刻蝕速率高、均勻性好、顆?？刂颇芰?、易維護、性能穩(wěn)定...
型號： GSE C200 所在地：北京市參考價：面議更新時間：2025/6/5 12:27:24 對比

多功能刻蝕機 GSE C200 北方華創(chuàng)
多腔等離子體刻蝕系統(tǒng)
多腔等離子體刻蝕系統(tǒng)-概述：1.方案是適用于最大 8 吋晶圓的多腔等離子體刻蝕工藝系統(tǒng)2.系統(tǒng)可用于研發(fā)和小批量生產(chǎn)3.系統(tǒng)兼容 8 吋、6 吋、4 吋、3 吋...
型號： customize... 所在地：深圳市參考價：面議更新時間：2025/6/5 10:35:20 對比

等離子體刻蝕系統(tǒng)刻蝕系統(tǒng)
反應離子刻蝕機
CIF推出RIE反應離子刻蝕機，采用RIE反應離子誘導激發(fā)方式，實現(xiàn)對材料表面各向異性的微結(jié)構(gòu)刻蝕。特別適合于大學，科研院所、微電子、半導體企業(yè)實驗室進行介質(zhì)刻...
型號： RIE200/Pl... 所在地：深圳市參考價：面議更新時間：2025/6/5 10:13:33 對比

反應離子刻蝕機刻蝕機
深硅刻蝕系統(tǒng)DEEP SI ETCH
提供深硅蝕刻（DSiE）領域的MEMS，封裝和納米技術的廣泛應用，從光滑側(cè)壁工藝到高刻蝕速率腔刻蝕、高深寬比工藝和錐形通孔刻蝕，不需要更換腔室硬件就可以實現(xiàn)。
型號： customize... 所在地：深圳市參考價：面議更新時間：2025/6/5 7:27:22 對比

深硅刻蝕系統(tǒng)刻蝕設備刻蝕系統(tǒng)OXFORD
離子束刻蝕系統(tǒng)IBE
離子束刻蝕系統(tǒng)IBE 的靈活性、均勻性俱佳且應用范圍廣。我們的設備具有靈活的硬件選項，包括直開式、單襯底傳送模式和盒式對盒式模式。系統(tǒng)配置與實際應用緊密協(xié)調(diào)，以...
型號： Ionfab 30... 所在地：深圳市參考價：面議更新時間：2025/6/5 7:25:11 對比

離子束刻蝕系統(tǒng)IBE 刻蝕設備 OXFORD
反應性離子刻蝕系統(tǒng)RIE
可為多種材料提供各向異性干法刻蝕工藝，兼容200mm以下所有尺寸的晶圓，快速更換到不同尺寸的晶圓工藝，電極的適用溫度范圍寬，-150°C至400...
型號： customize... 所在地：深圳市參考價：面議更新時間：2025/6/5 7:21:16 對比

離子刻蝕系統(tǒng)RIE 等離子刻蝕固體激光器 InP刻蝕石英刻蝕 OXFORD

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