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2023
08-23

廖洪剛EES:原子通道鋰的超致密輸運(yùn)用于無枝晶鋰金屬電池
文章信息原子通道中鋰的超致密輸運(yùn)用于無枝晶鋰金屬電池第一作者：周詩(shī)遠(yuǎn)，陳瑋鑫，施杰通訊作者：廖洪鋼教授通訊單位：廈門大學(xué)研究背景作為商用鋰離子電池的替代品，以鋰金屬作為負(fù)極的儲(chǔ)能體系被認(rèn)為是下一代高能量密度電池的有效解決方案。盡管鋰金屬電池（LMBs）有著廣闊的前景，但由于鋰枝晶生長(zhǎng)所帶來的嚴(yán)重安全問題仍然阻礙了其實(shí)際應(yīng)用。與電子遷移相比，高活性的鋰離子在負(fù)極側(cè)的擴(kuò)散速度較慢，且主要通過表面進(jìn)行。鋰離子在電極/電解質(zhì)界面的不均勻、不可控聚集會(huì)導(dǎo)致明顯的枝晶生長(zhǎng)。鋰離子在負(fù)極表面的擴(kuò)散速度遠(yuǎn)快于體
2023
08-21

高真空存桿儀的功能說明
高真空存桿儀是一種為存儲(chǔ)容器制造真空環(huán)境并長(zhǎng)時(shí)間保持真空狀態(tài)的儀器，可以根據(jù)不同需求來設(shè)定真空度，儀器會(huì)自動(dòng)把真空度保持在設(shè)定值附近?？蔀闃悠窏U提供高真空存放環(huán)境，可防止樣品桿在空氣中吸附濕氣及納米纖維，減小樣品桿進(jìn)電鏡后的抽真空時(shí)間，大幅提高電鏡使用效率。本公司提供的高真空存桿儀采用觸屏控制，實(shí)時(shí)顯示檢漏腔體真空度，一鍵開關(guān)，關(guān)閉時(shí)可保持真空狀態(tài)，檢漏完成時(shí)可通氣快速取桿，可模擬電鏡內(nèi)環(huán)境，檢測(cè)靈敏度高，可快速檢查樣品桿和MEMS芯片密封性，保證電鏡安全。其功能特點(diǎn)有：1、模塊化設(shè)計(jì)：適配不同
2023
07-28

透射電鏡氣體高溫原位系統(tǒng)運(yùn)用了什么技術(shù)？
透射電鏡氣體高溫原位系統(tǒng)通過MEMS芯片對(duì)樣品施加熱場(chǎng)控制，結(jié)合EDS、EELS、SAED、HRTEM、STEM等多種不同模式，實(shí)現(xiàn)從納米甚至原子層面實(shí)時(shí)、動(dòng)態(tài)監(jiān)測(cè)樣品在氣體環(huán)境下隨溫度變化產(chǎn)生的微觀結(jié)構(gòu)演化、反應(yīng)動(dòng)力學(xué)、相變、元素價(jià)態(tài)、化學(xué)變化、微觀應(yīng)力以及表/界面處的原子級(jí)結(jié)構(gòu)和成分演化等關(guān)鍵信息。透射電鏡氣體高溫原位系統(tǒng)運(yùn)用了多場(chǎng)耦合技術(shù)，可在氣相環(huán)境中實(shí)現(xiàn)光、電、熱、流體多場(chǎng)耦合。透射電鏡氣體高溫原位系統(tǒng)具有高的安全性：1．采用納流控技術(shù)，通過壓電微控系統(tǒng)進(jìn)行流體微分控制，實(shí)現(xiàn)納升級(jí)微量
2023
07-24

Nano Lett. | 原位液相透射電鏡觀測(cè)納米通道中滯留液層活化過程
英文原題：InSituTEMObservationofStagnantLiquidLayerActivationinNanochannel通訊作者：Hong-GangLiao（廖洪鋼），廈門大學(xué)，廈門大學(xué)化學(xué)化工學(xué)院，固體表面物理化學(xué)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室HuiLi（李暉），北京化工大學(xué)，軟物質(zhì)科學(xué)與工程高精尖創(chuàng)新中心作者：PengXue（薛鵬）,MiQu（曲密）,JieShi（施杰）,YouhongJiang（江友紅）,NanaHe（何娜娜）,TiqingZhao（趙體清）,ShiwenLuo（羅時(shí)文
2023
07-18

廈門大學(xué)廖洪鋼Angew. Chem.：揭示原子遷移能力對(duì)鈉離子電池陽(yáng)極性能的影響
【工作簡(jiǎn)介】在鈉離子電池（SIBs）中，低的初始庫(kù)侖效率（ICE）通常是由不可逆的相轉(zhuǎn)化和困難的解吸引起的，尤其是在過渡金屬化合物（TMCs）上。然而，反應(yīng)可逆性差的潛在物理化學(xué)機(jī)制仍然是一個(gè)有爭(zhēng)議的問題。近日，廈門大學(xué)廖洪鋼教授等團(tuán)隊(duì)通過使用原位透射電子顯微鏡和原位X射線衍射，證明了NiCoP@C是由P在碳層中的快速遷移和放電過程中分離的Na3P的優(yōu)先形成引起的。通過對(duì)碳涂層進(jìn)行改性，抑制了Ni/Co/P原子的遷移，從而提高了ICE和循環(huán)穩(wěn)定性。抑制引起組分分離和快速性能退化的快速原子遷移可能
2023
06-27

掃描電鏡加熱原位系統(tǒng)有怎樣的熱學(xué)性能？
掃描電鏡加熱原位系統(tǒng)將MEMS氣氛環(huán)境微腔和加熱模塊集成到掃描電鏡樣品臺(tái)上，在掃描電鏡中制造可控的環(huán)境并且可以對(duì)實(shí)驗(yàn)樣品原位加熱?？蓪?duì)樣品進(jìn)行可控溫度的加熱，電學(xué)測(cè)量芯片可對(duì)樣品進(jìn)行電性質(zhì)測(cè)量。并可在進(jìn)行加熱和電學(xué)測(cè)量的同時(shí)，動(dòng)態(tài)、高分辨地對(duì)樣品的晶體結(jié)構(gòu)、化學(xué)組分、元素價(jià)態(tài)進(jìn)行綜合表征，極大拓展了透射電鏡的功能和應(yīng)用范圍。使用同一個(gè)SEM樣品臺(tái)既可以實(shí)現(xiàn)不同的原位解決方案電學(xué)、加熱等不同應(yīng)用。本公司提供的CHIP-NOVA掃描電鏡加熱原位系統(tǒng)有優(yōu)異的熱學(xué)性能：1.高精密紅外測(cè)溫校正，微米級(jí)高分
2023
05-29

透射電鏡雙傾光熱原位系統(tǒng)是怎么控溫的？
在透射電鏡中實(shí)時(shí)表征材料在加熱或加電條件下原子尺度結(jié)構(gòu)及成分變化對(duì)于理解材料的熱學(xué)、電學(xué)性能以及微觀結(jié)構(gòu)演化具有至關(guān)重要的意義。透射電鏡雙傾光熱原位系統(tǒng)通過MEMS芯片和光纖引入的光源在原位樣品臺(tái)內(nèi)構(gòu)建熱、光復(fù)合多場(chǎng)自動(dòng)控制及反饋測(cè)量系統(tǒng)，結(jié)合EDS、EELS、SAED、HRTEM、STEM等多種不同模式，實(shí)現(xiàn)從納米甚至原子層面實(shí)時(shí)、動(dòng)態(tài)監(jiān)測(cè)樣品在真空環(huán)境下隨溫度、光場(chǎng)變化產(chǎn)生的微觀結(jié)構(gòu)、相變、元素價(jià)態(tài)、微觀應(yīng)力以及表/界面處的原子級(jí)結(jié)構(gòu)和成分演化等關(guān)鍵信息。透射電鏡雙傾光熱原位系統(tǒng)具有優(yōu)異的熱
2023
04-24

多孔氮化硅TEM載網(wǎng)有什么作用？
透射電子顯微鏡(TEM)是使用較為廣泛的電子顯微鏡之一，和掃描電子顯微技術(shù)共同組成了電子顯微學(xué)的“兩大支柱”。TEM的測(cè)試原理是利用透過樣品的電子進(jìn)行成像和結(jié)構(gòu)分析，由于電子的穿透能力較弱，樣品的厚度、導(dǎo)電性、磁性和分散性等特征對(duì)測(cè)試結(jié)果的好壞起到直接的影響。因此，相比于掃描電鏡樣品的制備，透射電鏡的制樣更加復(fù)雜和精細(xì)，對(duì)于不同的材料應(yīng)當(dāng)根據(jù)其特性并采用合適的制樣方法。TEM測(cè)試中，為了獲取高質(zhì)量的樣品圖像，制樣很關(guān)鍵。在制樣的過程中，其中載網(wǎng)的選擇也是至關(guān)重要。載網(wǎng)通常是一種多孔的金屬片，對(duì)樣
2023
03-30

透射電鏡三維重構(gòu)樣品桿是如何獲得成像信息的？
透射電鏡是一種把經(jīng)加速和聚集的電子束透射到非常薄的樣品上，電子與樣品中的原子碰撞而改變方向，從而產(chǎn)生立體角散射。散射角的大小與樣品的密度、厚度等相關(guān)，因此可以形成明暗不同的影像，影像在放大、聚焦后在成像器件上顯示出來的顯微鏡。透射電鏡三維重構(gòu)樣品桿基于樣品端超薄設(shè)計(jì)或360°旋轉(zhuǎn)設(shè)計(jì)，滿足生命科學(xué)、材料科學(xué)領(lǐng)域?qū)θS重構(gòu)表征的不同需求。透射電鏡三維重構(gòu)樣品桿通過一系列不同傾斜角獲得樣品的二維平面成像信息，使用軟件處理后可獲得三維立體成像信息。直接使用3mm銅網(wǎng)樣品進(jìn)行觀察，支持掃描透射模式下的高
2023
03-23

透射電鏡液體光學(xué)原位系統(tǒng)運(yùn)用的技術(shù)有哪些？
透射電鏡液體光學(xué)原位系統(tǒng)采用MEMS微加工工藝在原位樣品臺(tái)內(nèi)構(gòu)建液氛納米實(shí)驗(yàn)室，通過樣品臺(tái)內(nèi)置的光纖將光作為外場(chǎng)條件搭載其上，通過MEMS芯片和光纖引入的光源對(duì)樣品施加光場(chǎng)刺激條件，在進(jìn)行光學(xué)性質(zhì)測(cè)量的同時(shí)，結(jié)合使用EDS、EELS、SAED、HRTEM、STEM等多種不同模式，實(shí)現(xiàn)從納米甚至原子層面實(shí)時(shí)、動(dòng)態(tài)監(jiān)測(cè)樣品在液氛環(huán)境中隨光場(chǎng)變化產(chǎn)生的微觀結(jié)構(gòu)演化、反應(yīng)動(dòng)力學(xué)、相變、元素價(jià)態(tài)、化學(xué)變化、微觀應(yīng)力以及表/界面處的原子級(jí)結(jié)構(gòu)和成分演化等關(guān)鍵信息。實(shí)驗(yàn)中，樣品被密封在超薄氮化硅薄膜覆蓋的液體
2023
02-20

您了解透射電鏡力電原位系統(tǒng)嗎？
透射電子顯微鏡是提供在較高時(shí)間分辨率下得到原子級(jí)空間分辨率的實(shí)驗(yàn)手段。透射電鏡力電原位系統(tǒng)是在標(biāo)準(zhǔn)外形的透射電鏡樣品桿內(nèi)加裝掃描探針控制單元，通過探針對(duì)單個(gè)納米結(jié)構(gòu)進(jìn)行操縱和電學(xué)測(cè)量，并可在電學(xué)測(cè)量的同時(shí)，動(dòng)態(tài)、高分辨地對(duì)樣品的晶體結(jié)構(gòu)、化學(xué)組分、元素價(jià)態(tài)進(jìn)行綜合表征。本公司提供的透射電鏡力電原位系統(tǒng)是通過MEMS芯片在原位樣品臺(tái)內(nèi)構(gòu)建力、電復(fù)合多場(chǎng)自動(dòng)控制及反饋測(cè)量系統(tǒng)，結(jié)合EDS、EELS、SAED、HRTEM、STEM等多種不同模式，實(shí)現(xiàn)從納米層面實(shí)時(shí)、動(dòng)態(tài)監(jiān)測(cè)樣品在真空環(huán)境下隨電場(chǎng)、施加
2022
12-29

為什么要使用高真空存桿儀？
若TEM樣品桿長(zhǎng)期暴露于大氣，空氣中水汽及殘留污染物會(huì)附著于樣品桿表面。當(dāng)樣品桿重新安裝樣品并插入TEM中時(shí)，會(huì)發(fā)生：1.樣品桿表面(包括桿內(nèi)外表面)殘存水汽緩慢地釋放，大大延長(zhǎng)了TEM抽真空時(shí)間(由于原位TEM樣品桿內(nèi)部結(jié)構(gòu)復(fù)雜，內(nèi)表面積大大增加，其進(jìn)入TEM后抽真空延時(shí)現(xiàn)象尤甚)；2.殘留污染物會(huì)污染待觀察樣品，甚至?xí)廴綯EM真空腔室及內(nèi)部極靴、探測(cè)器等等。高真空存桿儀的極限真空度為10-6mBar(以10桿型號(hào)為例，用戶可定制4桿、6桿等不同型號(hào))，為樣品桿提供高真空存放環(huán)境，可防止樣品
2022
11-11

什么是透射電鏡4孔樣品桿？使用時(shí)該注意什么？
材料的宏觀性能往往與其本身的成分、結(jié)構(gòu)以及晶體缺陷中原子的位置等密切相關(guān)，在電子顯微鏡下觀察微觀結(jié)構(gòu)離不開樣品桿或樣品臺(tái)。樣品桿的重要性還在于它是要插側(cè)入式的樣品放置在一個(gè)較長(zhǎng)的金屬入物鏡，色差又與物鏡性能相關(guān)聯(lián)，這也就桿的*端，金屬通常是黃銅或不銹鋼，沿著使樣品桿與TEM的分辨率聯(lián)系在一起。透射電鏡4孔樣品桿可將最多4個(gè)樣品同時(shí)置入透射電鏡中，與市面常見的3孔樣品桿相比，大幅提高透射電鏡的使用效率。全新的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)及超高精度的旋鈕換樣方式，幫助降低漂移率，提高成像質(zhì)量。透射電鏡4孔樣品桿采用高精
2022
10-25

原位電鏡領(lǐng)域的技術(shù)先鋒
CreateWorld-LeadingIn-SituElectronMicroscopySolutions公司簡(jiǎn)介CHIPNOVA（超新芯）是早期原位芯片技術(shù)開發(fā)研究者、國(guó)家高層次引進(jìn)人才創(chuàng)辦的高科技企業(yè)，致力于為客戶提供全面的原位表征方案，并將相關(guān)技術(shù)應(yīng)用服務(wù)于民用領(lǐng)域。CHIPNOVA擁有MEMS芯片制造和原位電鏡方面的資深團(tuán)隊(duì)，10余年來產(chǎn)品和技術(shù)不斷迭代提升，目前已涉及原位芯片、生化醫(yī)療芯片、集成傳感芯片等。其中原位芯片在材料、催化、能源、環(huán)境、化學(xué)、生物等領(lǐng)域廣泛應(yīng)用，相關(guān)成果發(fā)表在S
2022
10-25

CHIPNOVA原位液相電化學(xué)解決方案—見微知著，助力科研
公司簡(jiǎn)介CHIPNOVA（超新芯）是早期原位芯片技術(shù)開發(fā)研究者、國(guó)家高層次引進(jìn)人才創(chuàng)辦的高科技企業(yè)，致力于為客戶提供全面的原位表征方案，并將相關(guān)技術(shù)應(yīng)用服務(wù)于民用領(lǐng)域。CHIPNOVA擁有MEMS芯片制造和原位電鏡方面的資深團(tuán)隊(duì)，10余年來產(chǎn)品和技術(shù)不斷迭代提升，目前已涉及原位芯片、生化醫(yī)療芯片、集成傳感芯片等。其中原位芯片在材料、催化、能源、環(huán)境、化學(xué)、生物等領(lǐng)域廣泛應(yīng)用，相關(guān)成果發(fā)表在Science、Nature子刊等SCI期刊上，服務(wù)包括北大、浙大等眾多高校和科研單位，推動(dòng)了相關(guān)領(lǐng)域的科技
2022
10-25

CHIPNOVA原位透射電鏡解決方案及應(yīng)用案例-力-熱系統(tǒng)
力-熱系統(tǒng)系統(tǒng)組成圖1技術(shù)指標(biāo)力-熱樣品臺(tái)高精度力學(xué)傳感芯片加熱芯片高精度控溫模塊三維運(yùn)動(dòng)控制模塊力學(xué)數(shù)據(jù)采集及計(jì)算模塊力學(xué)測(cè)試：壓縮、拉伸、恒定力、恒位移設(shè)備工作流程圖2視頻1鎢納米柱原位壓縮實(shí)驗(yàn)測(cè)試前，利用FIB將樣品焊接加熱芯片端，將金剛石焊接在力學(xué)傳感端，力學(xué)測(cè)試過程中，加熱芯片跟隨運(yùn)動(dòng)控制模塊向前運(yùn)動(dòng)，并力學(xué)傳感芯片接觸受力，樣品在加熱條件下發(fā)生壓縮或拉伸。力學(xué)傳感器圖3運(yùn)動(dòng)控制模塊圖4高溫加熱模塊圖5應(yīng)用案例圖6鎢納米柱受力發(fā)生彈性形變過程圖7鎢納米柱原位壓縮實(shí)驗(yàn)圖8鎢納米片原位壓縮
2022
10-10

在測(cè)試鎢納米柱的試驗(yàn)中力電原位系統(tǒng)有什么作用？
力電原位系統(tǒng)是通過MEMS芯片在原位樣品臺(tái)內(nèi)構(gòu)建力、電復(fù)合多場(chǎng)自動(dòng)控制及反饋測(cè)量系統(tǒng)，結(jié)合EDS、EELS、SAED、HRTEM、STEM等多種不同模式，實(shí)現(xiàn)從納米層面實(shí)時(shí)、動(dòng)態(tài)監(jiān)測(cè)樣品在真空環(huán)境下隨電場(chǎng)、施加力變化產(chǎn)生的微觀結(jié)構(gòu)、相變、元素價(jià)態(tài)、微觀應(yīng)力以及表/界面處的結(jié)構(gòu)和成分演化等關(guān)鍵信息。鎢納米柱原位力學(xué)壓縮過程：鎢納米柱受力發(fā)生彈性形變過程中，彈性形變和塑性形變過程強(qiáng)度和塑性是結(jié)構(gòu)材料應(yīng)用的關(guān)鍵特征，位錯(cuò)在調(diào)控材料強(qiáng)度和塑性的過程中扮演了重要角色，一般來說，位錯(cuò)滑移越難，材料的強(qiáng)度就越
2022
09-08

TEM氣體電-熱樣品臺(tái)是如何測(cè)量樣品的？
樣品臺(tái)裝配體包括臺(tái)階主體和凹形板兩部分。其特征在于：臺(tái)階主體呈三層臺(tái)階形狀；每一層表面都有不等數(shù)量的針孔；臺(tái)階主體兩邊加工有圓弧曲面；周身加工有孔；底部加工有燕尾槽。凹形板呈兩邊凸起中間凹下形狀；兩邊凸起處有針腳孔和螺紋沉孔；凹形板周身加工有孔。TEM氣體電-熱樣品臺(tái)可用于電鏡樣品在不同的高溫條件下的結(jié)構(gòu)表征。該產(chǎn)品通過電場(chǎng)控制器對(duì)樣品施加偏壓，配合電學(xué)系統(tǒng)控制程序保證微反應(yīng)系統(tǒng)穩(wěn)定可靠運(yùn)行及實(shí)時(shí)測(cè)量，該控制程序非常適合各種電子器件的電流、電壓特性分析和功能測(cè)試，如：功率半導(dǎo)體材料、功率器件、能
2022
08-09

雙傾光熱原位系統(tǒng)由哪些模塊組成？
雙傾光熱原位系統(tǒng)的組成模塊有雙傾模塊、加熱模塊及光學(xué)模塊。以下是各個(gè)模塊的作用：1、雙傾模塊該模塊包含原位雙傾樣品臺(tái)、電路系統(tǒng)、β傾轉(zhuǎn)角度控制器、程序控制系統(tǒng)及相關(guān)組件。具有穩(wěn)定性好、控制精度高、傾轉(zhuǎn)角度高(最大可達(dá)±25°)且連續(xù)可控、程序自動(dòng)化控制、可選擇裝載不同功能的原位芯片等優(yōu)點(diǎn)。2、加熱模塊該模塊包含超低飄移原位高溫加熱芯片(RT-1300℃)、高頻反饋溫度控制器、高精度程序控溫系統(tǒng)，具有控溫精度高、溫度穩(wěn)定性好(0.01℃)等優(yōu)勢(shì)?？梢詫?shí)現(xiàn)程序升溫、保溫、降溫全過程的連續(xù)高分辨成像，
2022
07-19

為什么要使用TEM固體超高溫加熱樣品臺(tái)？
樣品臺(tái)作為一種常用的試驗(yàn)檢測(cè)裝備，經(jīng)常須要對(duì)樣品舉行加熱，現(xiàn)有的樣品臺(tái)在加熱時(shí)，通常是在底部加熱，或者采取水浴加熱，而這些加熱方法都是傳導(dǎo)加熱，熱量須要從邊緣向中心傳遞，這樣存在加熱不均勻，而為認(rèn)識(shí)決加熱均勻性的問題，通常會(huì)在樣品臺(tái)上增設(shè)攪拌裝備或者在底部做磁攪拌,增設(shè)機(jī)械攪拌在須要攪拌時(shí)須要調(diào)劑攪拌槳的地位在攪拌結(jié)束后又須要挪走，操做麻煩。超新芯提供的TEM固體超高溫加熱樣品臺(tái)采用具有耐高溫且惰性材料的鎢絲作為加熱元件，具有優(yōu)異的力學(xué)和熱學(xué)性能，能夠使樣品加熱到1500℃以上。我們提供的原位加

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