化工儀器網(wǎng)>產(chǎn)品展廳>生命科學(xué)儀器>細(xì)胞培養(yǎng)儀器>細(xì)胞培養(yǎng)系統(tǒng)>Electrophysiology Module 腦細(xì)胞電生理刺激記錄系統(tǒng)
Electrophysiology Module 腦細(xì)胞電生理刺激記錄系統(tǒng)
- 公司名稱 世聯(lián)博研(北京)科技有限公司
- 品牌 其他品牌
- 型號(hào) Electrophysiology Module
- 產(chǎn)地 美國(guó)
- 廠商性質(zhì) 代理商
- 更新時(shí)間 2022/4/9 14:54:38
- 訪問次數(shù) 235
細(xì)胞電生理培養(yǎng)系統(tǒng)細(xì)胞電刺激培養(yǎng)系統(tǒng)細(xì)胞電阻抗測(cè)量系統(tǒng)細(xì)胞電生理記錄分析儀細(xì)胞電刺激培養(yǎng)儀
聯(lián)系方式:祝天狀13466675923 查看聯(lián)系方式
聯(lián)系我們時(shí)請(qǐng)說明是化工儀器網(wǎng)上看到的信息,謝謝!
細(xì)胞電生理刺激培養(yǎng)設(shè)備,細(xì)胞力、電刺激電阻抗檢測(cè)培養(yǎng)系統(tǒng),細(xì)胞低氧培養(yǎng)環(huán)境,細(xì)胞培養(yǎng)運(yùn)輸、高、低氧環(huán)境、懸浮細(xì)胞培養(yǎng)板,細(xì)胞損傷儀,自動(dòng)血凝分析儀,疫苗效力檢測(cè)分析系統(tǒng),動(dòng)物科學(xué)儀器,小動(dòng)物呼吸設(shè)備,顱腦損傷儀器
應(yīng)用領(lǐng)域 | 醫(yī)療衛(wèi)生,化工,生物產(chǎn)業(yè),制藥/生物制藥,綜合 |
---|
腦細(xì)胞電生理刺激記錄系統(tǒng)
可拉伸微電極陣列
可拉伸微電極陣列SMEA是一種用于記錄和電------腦切片中神經(jīng)活動(dòng)的密集微1針陣列,是高密度微1針陣列的設(shè)計(jì)、微細(xì)加工、電氣特性和生物評(píng)估。可拉伸微電極陣列可同時(shí)記錄和電------腦組織切片中的單個(gè)神經(jīng)元。
---切片可以說是蕞接近大腦的體---型,它有一個(gè)受損的表面層。由于電生理記錄方法在很大程度上依賴于電極-細(xì)胞的接近性,這一層明顯地削弱了信號(hào)的振幅,離體細(xì)胞電生理記錄系統(tǒng),使得傳統(tǒng)的平面電極不適合使用。為了繞過組織表面滲透到組織中,并記錄和---切片內(nèi)部健康體積的神經(jīng)活動(dòng),我們研究開發(fā)了可拉伸微電極陣列。
可拉伸微電極陣列被證明可以記錄---皮層切片中單個(gè)神經(jīng)元的細(xì)胞外動(dòng)作電位,信噪比---0000000。對(duì)單個(gè)神經(jīng)元的電---是以0000000的---閾值實(shí)現(xiàn)的。
該可拉伸微電極陣的---之處在于結(jié)合了緊密的針距60微米、---250微米的針高和小5-10微米直徑的電極,允許記錄單體活動(dòng)。該陣列與特定系統(tǒng)相結(jié)合,形成一個(gè)---的電生理工具,允許與---腦片中的神經(jīng)元群體進(jìn)行雙向的電極-細(xì)胞交流。
創(chuàng)傷性腦損傷體---擬設(shè)備
創(chuàng)傷性腦損傷體---擬設(shè)備應(yīng)用背景:
創(chuàng)傷性腦損傷(TBI)仍然是導(dǎo)致死1亡和殘疾的主要原因,腦細(xì)胞電生理---記錄系統(tǒng),每年影響全近1000萬人,細(xì)胞電生理---培養(yǎng)系統(tǒng),美國(guó)每年約有170萬人受其影響。
TBI的破壞性行1為和功能后果包括認(rèn)知損傷、記憶喪失或損傷、意識(shí)喪失或下降、運(yùn)動(dòng)障礙、昏迷、癲1癇發(fā)作和癲1癇、和死1亡。持續(xù)工作記憶的破壞是TBI---經(jīng)歷的一種---的認(rèn)知缺陷。
在成年人中,工作記憶和信息存儲(chǔ)的神經(jīng)相關(guān)性可能是循環(huán)網(wǎng)絡(luò)活動(dòng),這也與發(fā)育中的大腦中的神經(jīng)元網(wǎng)絡(luò)成熟有關(guān)。在許多情況下,工作記憶缺陷是在沒有細(xì)胞死1亡或明顯結(jié)構(gòu)性損傷的情況下出現(xiàn)的,---是在輕度或中度TBI的情況下。
TBI是由腦組織變形引起的,組織應(yīng)變和應(yīng)變率被確定為損傷的重要預(yù)測(cè)指標(biāo)。然而,由于直接測(cè)量組織變形面臨的挑戰(zhàn),很少有研究表征TBI期間的體內(nèi)組織應(yīng)變和應(yīng)變率。創(chuàng)傷性腦損傷體---擬設(shè)備研究的體外方法允許精1確控制機(jī)械---和細(xì)胞外環(huán)境,細(xì)胞電生理,以檢查在沒有全身影響的情況下腦實(shí)質(zhì)的反應(yīng),同時(shí)概括大部分體內(nèi)病理。
細(xì)胞、 組織拉伸模塊:對(duì)細(xì)胞進(jìn)行牽張---加載
*支持雙軸和單軸拉伸兩種模式
*可快速?zèng)_擊損傷拉伸或周期性拉伸
*連續(xù)可調(diào)的牽張率和頻率
*可以偶聯(lián)成像和電生理模塊
*實(shí)時(shí)生成應(yīng)變曲線徑向,線性, 自定義
*自定義應(yīng)變場(chǎng)
*應(yīng)變速率---80 IS *---SO%的應(yīng)變*任何拉伸圖案
*高重復(fù)性
*在培養(yǎng)箱中使用
我們的可拉伸 MEA 與 MEASSURE 系統(tǒng)相結(jié)合。它們?cè)鰪?qiáng)了研究能力并提供了的多功能性,因?yàn)樗鼈優(yōu)檠芯咳藛T提供了獨(dú)立---化學(xué)、電氣和機(jī)械因素以更緊密地人體復(fù)雜性的方法。
腦細(xì)胞電生理---記錄系統(tǒng)-細(xì)胞電生理-廠家代理(查看)由世聯(lián)博研北京科技有限公司提供。世聯(lián)博研北京科技有限公司位于北京市昌平區(qū)回龍觀鎮(zhèn)上奧世紀(jì)中心2B座6層603。在市場(chǎng)經(jīng)濟(jì)的浪潮中拼博和發(fā)展,目---聯(lián)博研在科研儀器儀表中享有---的聲譽(yù)。世聯(lián)博研取得---商盟,標(biāo)志著我們的服務(wù)和管理水平達(dá)到了一個(gè)新的高度。世聯(lián)博研全體員工愿與各界有識(shí)之士共同發(fā)展,共創(chuàng)美好未來。
該廠商的其他產(chǎn)品
相關(guān)技術(shù)文章
- 整合細(xì)胞力學(xué)、電生理和成像信息
- 北京基爾比3D細(xì)胞培養(yǎng)系統(tǒng)可以更
- 類器官培養(yǎng)增強(qiáng)技術(shù)與應(yīng)用
- 人參皂苷 Rb1 通過 SIRT1/caveol
- 血管衰老中調(diào)控內(nèi)皮細(xì)胞衰老的因
- 基爾比生物介紹腦類器官與T細(xì)胞3
- 細(xì)胞自噬染色實(shí)驗(yàn)的操作步驟與處
- 細(xì)胞培養(yǎng)過程中細(xì)胞出現(xiàn)小黑點(diǎn)的
- 高通量微升級(jí)液滴培養(yǎng)組學(xué)系統(tǒng)的
- 北京基爾比微重力培養(yǎng)是否能誘導(dǎo)