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Bmseed 細(xì)胞生物電信號(hào)功能成像系統(tǒng)
- 公司名稱 世聯(lián)博研(北京)科技有限公司
- 品牌 其他品牌
- 型號(hào) Bmseed
- 產(chǎn)地 美國(guó)
- 廠商性質(zhì) 代理商
- 更新時(shí)間 2022/4/11 8:18:31
- 訪問次數(shù) 491
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細(xì)胞電生理刺激培養(yǎng)設(shè)備,細(xì)胞力、電刺激電阻抗檢測(cè)培養(yǎng)系統(tǒng),細(xì)胞低氧培養(yǎng)環(huán)境,細(xì)胞培養(yǎng)運(yùn)輸、高、低氧環(huán)境、懸浮細(xì)胞培養(yǎng)板,細(xì)胞損傷儀,自動(dòng)血凝分析儀,疫苗效力檢測(cè)分析系統(tǒng),動(dòng)物科學(xué)儀器,小動(dòng)物呼吸設(shè)備,顱腦損傷儀器
應(yīng)用領(lǐng)域 | 醫(yī)療衛(wèi)生,化工,生物產(chǎn)業(yè),制藥/生物制藥,綜合 |
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細(xì)胞生物電信號(hào)功能成像系統(tǒng)
細(xì)胞生物電信號(hào)功能成像系統(tǒng)
電生理模塊:細(xì)胞電刺激、 電生理活動(dòng)記錄、 阻抗測(cè)量
細(xì)胞力-電耦合靈活:
★拉伸前中后進(jìn)行電刺激以及電生理活動(dòng)記錄分析
★拉伸前后電生理活動(dòng)的比較(標(biāo)準(zhǔn)化)
★拉伸前中后阻抗定量測(cè)量:可選頻率、時(shí)間、電壓,實(shí)時(shí)圖形化測(cè)量,方便的cvs測(cè)量結(jié)果導(dǎo)出
★記錄電生理活動(dòng)(有或無應(yīng)力刺激)
★60個(gè)頻道的刺激和電生理活動(dòng)記錄(可以升級(jí)到120個(gè)頻道)
★成本低
神經(jīng)細(xì)胞拉伸誘導(dǎo)損傷系統(tǒng)
由于涉及因素的多樣性,導(dǎo)致的腦組織變形的初始機(jī)械事件和體內(nèi)延遲性1神經(jīng)元變性之間的關(guān)系是復(fù)雜的。
我們使用了神經(jīng)細(xì)胞拉伸誘導(dǎo)損傷系統(tǒng),基于生長(zhǎng)在可拉伸微電極SMEA膜上的大鼠海馬片,研究拉伸誘導(dǎo)的創(chuàng)傷性腦損傷。
神經(jīng)細(xì)胞拉伸誘導(dǎo)損傷系統(tǒng)通過拉伸培養(yǎng)基質(zhì)誘發(fā)創(chuàng)傷性損傷,4天后對(duì)生物反應(yīng)進(jìn)行表征。
在損傷后的培養(yǎng)物中廣泛觀察到與人類創(chuàng)傷一致的形態(tài)學(xué)異常。
嚴(yán)重?fù)p傷后,細(xì)胞電生理,突觸功能明顯降低。N-jia基-D-天門冬氨酸(NMDA)受體拮抗劑MK-801減輕了神經(jīng)元的損傷,細(xì)胞電生理特性機(jī)械刺激加載系統(tǒng),防止了微管相關(guān)蛋白2免疫反應(yīng)性的喪失,并減輕了突觸功能的降低。相反,NMDA受體拮抗劑3-[(R)-2-羧基哌1嗪-4-基]-丙基-1-lin酸(CPP)和GYKI53655,在中度而非重度損傷范式中具有神經(jīng)保護(hù)作用。
硝苯地平,一種L型電壓依賴性鈣通道拮抗劑,細(xì)胞電生理力學(xué)模型系統(tǒng),僅在中度損傷后有保護(hù)作用,而奧美加-錐體毒1素可減輕嚴(yán)重?fù)p傷后的損害。
這些結(jié)果表明,拉伸損傷后的損害機(jī)制是復(fù)雜的,并根據(jù)損傷的嚴(yán)重程度而變化。
總之,器1官型海馬切片培養(yǎng)物對(duì)拉伸損傷的藥理學(xué)、形態(tài)學(xué)和電生理學(xué)反應(yīng)與體內(nèi)觀察到的相似。我們的模型為了解創(chuàng)傷后延遲細(xì)胞死1亡的機(jī)制提供了一個(gè)替代動(dòng)物試驗(yàn)的方法,并可以在推進(jìn)體內(nèi)模型之前作為高含量的篩選來發(fā)現(xiàn)神經(jīng)保護(hù)性化合物。
可拉伸微電極陣列對(duì)電活動(dòng)的神經(jīng)傳感
在機(jī)械活躍的組織內(nèi)感應(yīng)神經(jīng)活動(dòng)會(huì)帶來特殊的障礙,因?yàn)榇蠖鄶?shù)電極比生物組織要硬得多。隨著組織的變形,剛性電極可能會(huì)損壞周圍的組織。當(dāng)在由腦組織快速和大的形變引起的創(chuàng)傷性腦損傷 (TBI) 實(shí)驗(yàn)?zāi)P椭懈兄窠?jīng)活動(dòng)時(shí),該問題會(huì)更加嚴(yán)重。
我們已經(jīng)開發(fā)了一種可拉伸微電極陣列(SMEA),它可以承受大的彈性變形(>5%的雙軸應(yīng)變),同時(shí)繼續(xù)發(fā)揮作用。可拉伸微電極陣列SMEA被用來記錄大腦切片培養(yǎng)的自發(fā)活動(dòng),以及通過SMEA電極刺激后的誘發(fā)活動(dòng)。
腦組織切片在SMEA上長(zhǎng)期培養(yǎng),然后通過拉伸SMEA和貼壁的培養(yǎng)物,細(xì)胞電生理力學(xué)復(fù)合模型系統(tǒng),用我們良好的體外損傷模型進(jìn)行機(jī)械損傷,這一點(diǎn)通過圖像分析得到證實(shí)。由于腦組織生長(zhǎng)在與基質(zhì)結(jié)合的SMEA上,由于SMEA與組織一起變形并在機(jī)械刺激中保持原位,因此損傷后的電生理功能變化與損傷前的功能是正常的。
我們的損傷模型和可拉伸微電極陣列SMEA的結(jié)合可以幫助闡明創(chuàng)傷后神經(jīng)元功能障礙的機(jī)制,以尋求TBI治1療方法。SMEA可能在其他機(jī)械活躍的組織中具有額外的傳感應(yīng)用,如周圍神經(jīng)和心臟相關(guān)研究。
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