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替代BSC150N03-半導(dǎo)體芯片mos管

參考價(jià) 1000
訂貨量 ≥1個(gè)
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
產(chǎn)品標(biāo)簽

mos管替代BSC150N0315-35-70-46-070

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華鎂公司為一家專(zhuān)業(yè)功率半導(dǎo)體組件(MOSFET)和集成電路芯片的設(shè)計(jì)公司。憑借著堅(jiān)實(shí)的產(chǎn)品開(kāi)發(fā)、營(yíng)銷(xiāo)業(yè)務(wù)及營(yíng)運(yùn)團(tuán)隊(duì)。提供性能優(yōu)異、高信賴(lài)性、高性?xún)r(jià)比的產(chǎn)品及滿足客戶需求的服務(wù),已獲得眾多客戶于其節(jié)能電子產(chǎn)品中的廣泛使用。目前華鎂可提供的功率半導(dǎo)體元器件產(chǎn)品(12V~1200V)和集成電路芯片(鋰電保護(hù)和控制驅(qū)動(dòng)芯片),產(chǎn)品應(yīng)用范圍含蓋計(jì)算機(jī)(個(gè)人計(jì)算機(jī)與服務(wù)器)、電源供應(yīng)器、通訊電子產(chǎn)品、手持式電子裝置、消費(fèi)性產(chǎn)品及工業(yè)應(yīng)用產(chǎn)品等。

華鎂整個(gè)團(tuán)隊(duì)秉持著成就客戶、努力奮斗、持續(xù)學(xué)習(xí)、進(jìn)取創(chuàng)新、誠(chéng)信正直、團(tuán)隊(duì)合作理念,并已累積15年以上的產(chǎn)品開(kāi)發(fā)經(jīng)驗(yàn)及50余個(gè),期許華鎂產(chǎn)品能滿足客戶多方面的要求,讓華鎂能為電子產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)盡一份努力。

華鎂研發(fā)總部設(shè)在中國(guó)臺(tái)灣新竹科學(xué)工業(yè)園區(qū)(302 新竹縣竹北市),國(guó)內(nèi)研發(fā)和應(yīng)用總部位于張家港市和蕪湖市,國(guó)內(nèi)市場(chǎng)主要以成品及Wafer銷(xiāo)售和配套服務(wù)為主。


MOS管,中低壓MOS管,MOSFET,場(chǎng)效應(yīng)管

產(chǎn)地類(lèi)別 國(guó)產(chǎn) 應(yīng)用領(lǐng)域 醫(yī)療衛(wèi)生,能源,電子/電池,道路/軌道/船舶,電氣
通道類(lèi)型 N VX 15-35-70-46-070

替代BSC150N03應(yīng)用6串芯片mos管工藝
BSC150N03激光打印激光打印是用激光射線的方式在塑封膠表面打印標(biāo)識(shí)和數(shù)碼。包括制造商的信息,器件代碼,封裝日期,可以作為識(shí)別和可追溯性。
BSC150N03隨著電子消費(fèi)產(chǎn)品需求的增長(zhǎng),功率mosfet的需求越來(lái)越大,例如磁盤(pán)驅(qū)動(dòng),汽車(chē)電子以及功率器件等等方面。溝槽型m0s(trenchm0s)由于其器件的集成度較高,導(dǎo)通電阻較低,具有較低的柵-漏電荷密度、較大的電流容量,因而具備較低的開(kāi)關(guān)損耗和較快的開(kāi)關(guān)速度,被廣泛地應(yīng)用在低壓功率領(lǐng)域。


替代BSC150N03常見(jiàn)問(wèn)題
BSC150N03靜電分析:靜電的基本物理特性是:有吸引力或斥力;有電場(chǎng),與地球有電位差;產(chǎn)生放電電流。這三種情況對(duì)電子元件有以下影響:亥元件吸收灰塵,改變線路之間的阻抗,影響元件的功能和壽命。于電場(chǎng)或電流的作用,元件的絕緣層和導(dǎo)體損壞,使元件不能工作(*損壞)。于電場(chǎng)的瞬時(shí)軟擊穿或電流過(guò)熱,元件受到損壞。雖然它還能工作,但它的生命受到了損害。
靜電失效預(yù)防措施:OS電路輸入端的保護(hù)二極管在通電時(shí)的電流容限為1毫安。當(dāng)可能出現(xiàn)過(guò)大的瞬時(shí)輸入電流(大于10mA)時(shí),輸入保護(hù)電阻應(yīng)串聯(lián)。由于保護(hù)電路吸收的瞬時(shí)能量有限,過(guò)大的瞬時(shí)信號(hào)和過(guò)高的靜電電壓會(huì)使保護(hù)電路失效。在焊接過(guò)程中,烙鐵必須可靠接地,以防止設(shè)備輸入端子泄漏。一般使用時(shí),斷電后,可利用烙鐵的余熱進(jìn)行焊接,其接地腳應(yīng)先焊好。


鋰電池保護(hù)板做充放電開(kāi)關(guān)使用

一般情況下,MOS都處于開(kāi)或關(guān)的狀態(tài),不用考慮MOS的開(kāi)關(guān)速度,會(huì)在整體電路上設(shè)計(jì)了快速關(guān)閉回路。
要注意以下幾個(gè)點(diǎn):
1,注意DS電壓,設(shè)計(jì)選型留有足夠的余量。按照1.5倍MOS管的BVDDS
2,注意工作電流與保護(hù)電流,經(jīng)驗(yàn)值是3~4倍以上為MOS的ID(DC) 。
3,多顆MOS并聯(lián),電流的余量盡量再大一點(diǎn)。
4,走大電流的方案,要綜合考慮封裝散熱,內(nèi)阻。
5,驅(qū)動(dòng)電壓要了解,盡量使MOS工作在*開(kāi)啟狀態(tài),對(duì)于單片機(jī)驅(qū)動(dòng)的方案,盡量推薦低開(kāi)啟的MOS。
另外在選用MOS管時(shí)要注意溝道類(lèi)型,BVDDS ,ID導(dǎo)通電流,VGS(th),RDSON這幾項(xiàng)參數(shù)。


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公司介紹

華鎂公司,為一家專(zhuān)業(yè)功率半導(dǎo)體組件(MOSFET)和集成電路芯片的設(shè)計(jì)公司。憑借著堅(jiān)實(shí)的產(chǎn)品開(kāi)發(fā)、營(yíng)銷(xiāo)業(yè)務(wù)及營(yíng)運(yùn)團(tuán)隊(duì)。提供性能優(yōu)異、高信賴(lài)性、高性?xún)r(jià)比的產(chǎn)品及滿足客戶需求的服務(wù),已獲得眾多客戶于其節(jié)能電子產(chǎn)品中的廣泛使用。目前華鎂可提供的功率半導(dǎo)體元器件產(chǎn)品(12V~1200V)和集成電路芯片(鋰電保護(hù)和控制驅(qū)動(dòng)芯片),產(chǎn)品應(yīng)用范圍含蓋計(jì)算機(jī)(個(gè)人計(jì)算機(jī)與服務(wù)器)、電源供應(yīng)器、通訊電子產(chǎn)品、手持式電子裝置、消費(fèi)性產(chǎn)品及工業(yè)應(yīng)用產(chǎn)品等。
華鎂整個(gè)團(tuán)隊(duì)秉持著“成就客戶、努力奮斗、持續(xù)學(xué)習(xí)、進(jìn)取創(chuàng)新、誠(chéng)信正直、團(tuán)隊(duì)合作”理念,并已累積15年以上的產(chǎn)品開(kāi)發(fā)經(jīng)驗(yàn)及50余個(gè)
華鎂研發(fā)總部設(shè)在中國(guó)臺(tái)灣新竹科學(xué)工業(yè)園區(qū)(302 新竹縣竹北市),國(guó)內(nèi)研發(fā)和應(yīng)用總部位于張家港市和蕪湖市,國(guó)內(nèi)市場(chǎng)主要以成品及Wafer銷(xiāo)售和配套服務(wù)為主。

替代BSC150N03應(yīng)用6串芯片mos管封裝
BSC150N03小外形封裝(SOP)
BSC150N03SOP(Small Out-Line Package)是表面貼裝型封裝之一,也稱(chēng)之為SOL或DFP,引腳從封裝兩側(cè)引出呈海鷗翼狀(L字形)。材料有塑料和陶瓷兩種。
BSC150N03SOP封裝標(biāo)準(zhǔn)有SOP-8、SOP-16、SOP-20、SOP-28等,SOP后面的數(shù)字表示引腳數(shù)。MOSFET的SOP封裝多數(shù)采用SOP-8規(guī)格,業(yè)界往往把“P”省略,簡(jiǎn)寫(xiě)為SO(Small Out-Line)。
BSC150N03SOP-8封裝尺寸
BSC150N03SO-8為PHILIP公司開(kāi)發(fā),采用塑料封裝,沒(méi)有散熱底板,散熱不良,一般用于小功率MOSFET。
BSC150N03后逐漸派生出TSOP(薄小外形封裝)、VSOP(甚小外形封裝)、SSOP(縮小型SOP)、TSSOP(薄的縮小型SOP)等標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格;其中TSOP和TSSOP常用于MOSFET封裝。
BSC150N03常用于MOS管的SOP派生規(guī)格



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