替代AOT410應(yīng)用香薰機(jī)低壓mos管工藝
AOT410微電子封裝的功能：芯片電氣特性的保持功能通過(guò) PKG 的進(jìn)步，滿足不斷發(fā)展的高性能、小型化、高頻化等方
面的要求，確保其功能性。芯片保護(hù)功能 PKG 的芯片保護(hù)功能很直觀，保護(hù)芯片表面以及連接引線等，使在電氣或物
理等方面相當(dāng)柔嫩的芯片免受外力損害及外部環(huán)境的影響。保證可靠性。應(yīng)力緩和功能由于熱等外部環(huán)境的影響或者芯片自身發(fā)熱等都會(huì)產(chǎn)生應(yīng)力，PKG 緩解應(yīng)力，防止發(fā)生損壞失效，保證可靠性。尺寸調(diào)整配合（間距變化）功能由芯片的微細(xì)引線間距調(diào)整到實(shí)裝基板的尺寸間距，從而便于實(shí)裝操作。例如，從亞微米（目前已小于 0.13μm）為特征尺寸的芯片到以 10μm 為單位的芯片電極凸點(diǎn)，再到以 100μm 為單位的外部引線端子，最后到以 mm 為單位的實(shí)裝基板，都是通過(guò) PKG 來(lái)實(shí)現(xiàn)的。在這里 PKG 起著由小到大、由難到易、由復(fù)雜到簡(jiǎn)單的變換作用。從而可使操作費(fèi)用及資材費(fèi)用降低，而且提高工作效率和可靠性。保證實(shí)用性或通用性。
AOT410現(xiàn)有的制造工藝包括在外延上進(jìn)行溝槽刻蝕，然后整體淀積一層氧化硅作為厚柵氧化層；然后通過(guò)光刻膠及顯影步驟保證溝槽底部有足夠的光刻膠剩余；然后進(jìn)行氧化硅濕法刻蝕，去除掉光刻膠以上的全部氧化硅；然后在去除溝槽內(nèi)的光刻膠。。再進(jìn)行后續(xù)的填充多晶硅等步驟。

替代AOT410常見問題
AOT410皆振失效：功率MOS管并聯(lián)而不插入柵極電阻但直接連接時(shí)發(fā)生的柵極寄生振蕩。
漏源電壓在高速下反復(fù)接通和斷開時(shí)，這種寄生振蕩發(fā)生在由柵極漏極電容Cgd(Crss)和柵極pin電感Lg構(gòu)成的諧振電路中。
建立共振條件（ωL=1/ωC)時(shí)，在柵極和源極之間施加遠(yuǎn)大于驅(qū)動(dòng)電壓Vgs(in)的振動(dòng)電壓，柵極因超過(guò)柵極源額定電壓而損壞，漏源電壓開關(guān)時(shí)的振動(dòng)電壓通過(guò)柵極漏極電容器Cgd和Vgs的重疊波形產(chǎn)生正反饋，可能引起故障引起振蕩破壞。
皆振失效預(yù)防措施：且力可以抑制由于阻尼引起的振蕩。然而，將一個(gè)小電阻串聯(lián)到柵極上并不能解決振蕩阻尼問題，主要原因是驅(qū)動(dòng)電路的阻抗匹配和功率管開關(guān)時(shí)間的周整。


例

鋰電池保護(hù)板做充放電開關(guān)使用

一般情況下，MOS都處于開或關(guān)的狀態(tài)，不用考慮MOS的開關(guān)速度，會(huì)在整體電路上設(shè)計(jì)了快速關(guān)閉回路。
要注意以下幾個(gè)點(diǎn)：
1，注意DS電壓，設(shè)計(jì)選型留有足夠的余量。按照1.5倍MOS管的BVDDS
2，注意工作電流與保護(hù)電流，經(jīng)驗(yàn)值是3~4倍以上為MOS的ID(DC) 。
3，多顆MOS并聯(lián)，電流的余量盡量再大一點(diǎn)。
4，走大電流的方案，要綜合考慮封裝散熱，內(nèi)阻。
5，驅(qū)動(dòng)電壓要了解，盡量使MOS工作在*開啟狀態(tài)，對(duì)于單片機(jī)驅(qū)動(dòng)的方案，盡量推薦低開啟的MOS。
另外在選用MOS管時(shí)要注意溝道類型，BVDDS ，ID導(dǎo)通電流，VGS(th)，RDSON這幾項(xiàng)參數(shù)。

公司介紹
華鎂公司，為一家專業(yè)功率半導(dǎo)體組件(MOSFET)和集成電路芯片的設(shè)計(jì)公司。憑借著堅(jiān)實(shí)的產(chǎn)品開發(fā)、營(yíng)銷業(yè)務(wù)及營(yíng)運(yùn)團(tuán)隊(duì)。提供性能優(yōu)異、高信賴性、高性價(jià)比的產(chǎn)品及滿足客戶需求的服務(wù)，已獲得眾多客戶于其節(jié)能電子產(chǎn)品中的廣泛使用。目前華鎂可提供的功率半導(dǎo)體元器件產(chǎn)品(12V~1200V)和集成電路芯片（鋰電保護(hù)和控制驅(qū)動(dòng)芯片），產(chǎn)品應(yīng)用范圍含蓋計(jì)算機(jī)(個(gè)人計(jì)算機(jī)與服務(wù)器)、電源供應(yīng)器、通訊電子產(chǎn)品、手持式電子裝置、消費(fèi)性產(chǎn)品及工業(yè)應(yīng)用產(chǎn)品等。
華鎂整個(gè)團(tuán)隊(duì)秉持著“成就客戶、努力奮斗、持續(xù)學(xué)習(xí)、進(jìn)取創(chuàng)新、誠(chéng)信正直、團(tuán)隊(duì)合作”理念，并已累積15年以上的產(chǎn)品開發(fā)經(jīng)驗(yàn)及50余個(gè)。
華鎂研發(fā)總部設(shè)在中國(guó)臺(tái)灣新竹科學(xué)工業(yè)園區(qū)（302 新竹縣竹北市），國(guó)內(nèi)研發(fā)和應(yīng)用總部位于張家港市和蕪湖市，國(guó)內(nèi)市場(chǎng)主要以成品及Wafer銷售和配套服務(wù)為主。

替代AOT410應(yīng)用香薰機(jī)低壓mos管封裝
AOT410插入式封裝
AOT410表面貼裝則是MOSFET的管腳及散熱法蘭焊接在PCB板表面的焊盤上。典型表面貼裝式封裝有：晶體管外形（D-PAK）、小外形晶體管（SOT）、小外形封裝（SOP）、方形扁平式封裝（QFP）、塑封有引線芯片載體（PLCC）等。



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