替代AON7534應(yīng)用7串n溝道m(xù)os管工藝
AON7534VD MOSFET 的柵極結(jié)構(gòu)為平面式，當(dāng) Vgs 足夠大時，兩個源極之間會形成N 型導(dǎo)電溝道，使漏源極之間有電流流過。柵極和源極在硅片的上表面，而漏極連接到襯底的下表面，源極和漏極在晶圓的相對平面，當(dāng)電流從漏極流向源極時電流在硅片內(nèi)部垂直流動，因此可以充分應(yīng)用硅片的面積，來提高通過電流的能力，適用于功率 MOSFET 的應(yīng)用。N 溝道 MOSFET 襯底為高摻雜的 N+襯底，高摻雜部分的體電阻小，然后上面為 N-epi 層，上面有兩個連續(xù)的擴散區(qū) P-，溝道在 P-區(qū)形成，在 P-區(qū)內(nèi)部擴散形成 N+為源極，硅片表面形成柵極氧化物，多晶硅柵極材料沉積后，在連接到柵極的多晶硅層下面，就形成一個薄的高質(zhì)量氧化層從而產(chǎn)生溝道。
AON7534溝槽式柵極 MOSFET 是將 VD MOSFT 中的“T”導(dǎo)電通路縮短為兩條平行的垂直型導(dǎo)電通路，從而降低通態(tài)電阻。U 型溝槽為平面型演變，切開翻轉(zhuǎn) 90 度，柵結(jié)構(gòu)不與螺片表面平行而是構(gòu)建在溝道之中垂直于表面，因此占用空間較少且使電流流動真正垂直，最小化基本單元面積，在相同的站位空間中可以集成更多的單元從而降低 Rdson，并維持電容不變。Trench MOSFET 制作工藝是采用 RIE挖深槽，再用多晶硅填充柵極。


替代AON7534常見問題
AON7534OA失效（電流失效）：導(dǎo)體光放大器（SOA)失效是指在電源工作過程中，由于MOS管上同時疊加了異常大的電流和電壓而引起的損傷模式?；蛘?，芯片、散熱器和封裝不能時達(dá)到熱平衡，導(dǎo)致熱量積聚，并且連續(xù)熱產(chǎn)生導(dǎo)致溫度超過由于熱擊穿模式而導(dǎo)致的氧化物層的極限。
OA失效的預(yù)防措施：確保在最壞的情況下，MOS管的所有功率限制都在SOA限制線之內(nèi)；OCP功能必須精確、詳細(xì)。
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例

鋰電池保護(hù)板做充放電開關(guān)使用

一般情況下，MOS都處于開或關(guān)的狀態(tài)，不用考慮MOS的開關(guān)速度，會在整體電路上設(shè)計了快速關(guān)閉回路。
要注意以下幾個點：
1，注意DS電壓，設(shè)計選型留有足夠的余量。按照1.5倍MOS管的BVDDS
2，注意工作電流與保護(hù)電流，經(jīng)驗值是3~4倍以上為MOS的ID(DC) 。
3，多顆MOS并聯(lián)，電流的余量盡量再大一點。
4，走大電流的方案，要綜合考慮封裝散熱，內(nèi)阻。
5，驅(qū)動電壓要了解，盡量使MOS工作在*開啟狀態(tài)，對于單片機驅(qū)動的方案，盡量推薦低開啟的MOS。
另外在選用MOS管時要注意溝道類型，BVDDS ，ID導(dǎo)通電流，VGS(th)，RDSON這幾項參數(shù)。

公司介紹
華鎂公司，為一家專業(yè)功率半導(dǎo)體組件(MOSFET)和集成電路芯片的設(shè)計公司。憑借著堅實的產(chǎn)品開發(fā)、營銷業(yè)務(wù)及營運團(tuán)隊。提供性能優(yōu)異、高信賴性、高性價比的產(chǎn)品及滿足客戶需求的服務(wù)，已獲得眾多客戶于其節(jié)能電子產(chǎn)品中的廣泛使用。目前華鎂可提供的功率半導(dǎo)體元器件產(chǎn)品(12V~1200V)和集成電路芯片（鋰電保護(hù)和控制驅(qū)動芯片），產(chǎn)品應(yīng)用范圍含蓋計算機(個人計算機與服務(wù)器)、電源供應(yīng)器、通訊電子產(chǎn)品、手持式電子裝置、消費性產(chǎn)品及工業(yè)應(yīng)用產(chǎn)品等。
華鎂整個團(tuán)隊秉持著“成就客戶、努力奮斗、持續(xù)學(xué)習(xí)、進(jìn)取創(chuàng)新、誠信正直、團(tuán)隊合作”理念，并已累積15年以上的產(chǎn)品開發(fā)經(jīng)驗及50余個。
華鎂研發(fā)總部設(shè)在中國臺灣新竹科學(xué)工業(yè)園區(qū)（302 新竹縣竹北市），國內(nèi)研發(fā)和應(yīng)用總部位于張家港市和蕪湖市，國內(nèi)市場主要以成品及Wafer銷售和配套服務(wù)為主。

替代AON7534應(yīng)用7串n溝道m(xù)os管封裝
AON7534SOT封裝類型
AON7534SOT23是常用的三極管封裝形式，有3條翼形引腳，分別為集電極、發(fā)射極和基極，分別列于元件長邊兩側(cè)，其中，發(fā)射極和基極在同一側(cè)，常見于小功率晶體管、場效應(yīng)管和帶電阻網(wǎng)絡(luò)的復(fù)合晶體管，強度好，但可焊性差。
AON7534SOT89具有3條短引腳，分布在晶體管的一側(cè)，另外一側(cè)為金屬散熱片，與基極相連，以增加散熱能力，常見于硅功率表面組裝晶體管，適用于較高功率的場合。
AON7534SOT143具有4條翼形短引腳，從兩側(cè)引出，引腳中寬度偏大的一端為集電極，這類封裝常見于高頻晶體管，外形如下圖(c)所示。
AON7534SOT252屬于大功率晶體管，3條引腳從一側(cè)引出，中間一條引腳較短，為集電極，與另一端較大的引腳相連，該引腳為散熱作用的銅片。
AON7534常見SOT封裝外形比較：主板上常用四端引腳的SOT-89 MOSFET。
AON7534SOT-89 MOSFET尺寸規(guī)格（單位：mm）



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