替代AON7502應用30Vmos管廠家工藝
AON7502Trench MOSFET的工作原理當柵極與源極之間電壓小于閾值電壓（即Vos<VrH),靠近柵極區(qū)的溝道未反型，此時加一正偏漏源電壓，P型基區(qū)與N型漂移區(qū)之間的PN結反偏，由于P基區(qū)具有較高的摻雜濃度，耗盡層主要向N型漂移區(qū)擴展。漏源之間無電流流過；當柵源電壓逐漸增大到大于器件的閾值電壓時（即VGs>VTH),垂直溝道表面形成強反型層，即電子溝道。在漏源電壓（VDs)的驅動下，源區(qū)電子經外延層漂移至襯底漏極，形成電流。可見當VGs電壓未達到VTH時，垂直方向上不存在導電溝道，漏極與源極之間是一個反偏PN結［12-13].耗盡，層主要擴展在外延層一側，理論擊穿電壓值可以由外延的濃度和厚度決定。
AON7502對于100V-200V電壓段的高壓SGT MOSFET,常規(guī)結構是在屏蔽柵溝槽的底部引入相對于頂層更高電阻率的外延層來承受反向電壓，為了優(yōu)化該高阻區(qū)域對R.的影響，一種在屏蔽柵溝槽下方引入dson浮空P區(qū)域的SGT MOSFET結構被提出和研究，為該結構示意圖15.這種浮空P區(qū)域可以通過溝槽刻蝕及填充，多層掩埋外延層或者溝槽底部MeV量級的P型注入來實現(xiàn)，在SGT MOSFET屏蔽溝槽底部的漂移區(qū)中形成類似于超結的NP柱交替摻雜結構，可以將常規(guī)結構屏蔽溝槽下方的漂移區(qū)濃度提高一個數(shù)量級，因而可以大大減小器件R.此dson O外，這種結構可以在常規(guī) SGT MOSFET(頂部）和SJ狀結構（底部）之間分配反向電壓，由于MOS區(qū)域和p-n結彼此獨立，器件內的反向電壓在兩者的分配比例比是可調的，可以通過減小屏蔽溝槽的深度來減少Coss和常規(guī)SGT MOSFET在高電壓下的電場不均勻性。這種結構針對SGT MOSFET不同電壓節(jié)點以及特定應用的R－Coss取得了良好的折衷優(yōu)化。dson相對于常規(guī)結構SGT MOSFET,即使在MHz的高頻應用場合下器件R的降幅仍然達到了30%以上。dson由于浮空P區(qū)域在高頻下存在未耗盡的情況，該結構在40-90V范圍內存在C.較常規(guī)結構增大的OSS情況，但總體而言，端情況下該結構仍能將動態(tài)R＊降低17%以上。OdsonOSS在SGT MOSFET 新的研究結果中，一種提高
高壓SGT比導通電阻的三層epi結構 SGT MOSFET被提出和研究16.在雙層EPI結構中，頂層EPI和底層EPI的作用分別是調整器件電場分布、降低Ldson和支撐反向電壓；三層EPI結構中頂層與底層EPI的作用與雙層EPI結構相同，此外可以中間更低的
電阻率的EPI層調整兩個溝槽之間的電場分布，達到降低器件Rp的作用。


替代AON7502常見問題
AON7502J極電壓失效的預防措施：冊極和源極之間的過電壓保護：如果柵極和源極之間的阻抗過高，漏極和源極之間電壓的突然變化將通過電極間電容耦合到柵極上，導致非常高的UGS壓超調，從而導致柵極超調。如果是正方向上的UGS瞬態(tài)電壓，設備也可能導通錯誤。為此，應適當降低柵極驅動電路的阻抗，并在柵極和源極之間并聯(lián)一個阻尼電阻或一個穩(wěn)壓約20V的調壓器。必須特別注意防止開門操作。
非水管之間的過電壓保護：如果電路中存在電感負載，當設備關閉時，漏極電流（di/dt)的突然變化將導致漏極電壓超調，這遠遠高于電源電壓，從而導致設備損壞。應采取齊納鉗、RC鉗或RC抑制電路等保護措施。


例

鋰電池保護板做充放電開關使用

一般情況下，MOS都處于開或關的狀態(tài)，不用考慮MOS的開關速度，會在整體電路上設計了快速關閉回路。
要注意以下幾個點：
1，注意DS電壓，設計選型留有足夠的余量。按照1.5倍MOS管的BVDDS
2，注意工作電流與保護電流，經驗值是3~4倍以上為MOS的ID(DC) 。
3，多顆MOS并聯(lián)，電流的余量盡量再大一點。
4，走大電流的方案，要綜合考慮封裝散熱，內阻。
5，驅動電壓要了解，盡量使MOS工作在*開啟狀態(tài)，對于單片機驅動的方案，盡量推薦低開啟的MOS。
另外在選用MOS管時要注意溝道類型，BVDDS ，ID導通電流，VGS(th)，RDSON這幾項參數(shù)。

公司介紹
華鎂公司，為一家專業(yè)功率半導體組件(MOSFET)和集成電路芯片的設計公司。憑借著堅實的產品開發(fā)、營銷業(yè)務及營運團隊。提供性能優(yōu)異、高信賴性、高性價比的產品及滿足客戶需求的服務，已獲得眾多客戶于其節(jié)能電子產品中的廣泛使用。目前華鎂可提供的功率半導體元器件產品(12V~1200V)和集成電路芯片（鋰電保護和控制驅動芯片），產品應用范圍含蓋計算機(個人計算機與服務器)、電源供應器、通訊電子產品、手持式電子裝置、消費性產品及工業(yè)應用產品等。
華鎂整個團隊秉持著“成就客戶、努力奮斗、持續(xù)學習、進取創(chuàng)新、誠信正直、團隊合作”理念，并已累積15年以上的產品開發(fā)經驗及50余個。
華鎂研發(fā)總部設在中國臺灣新竹科學工業(yè)園區(qū)（302 新竹縣竹北市），國內研發(fā)和應用總部位于張家港市和蕪湖市，國內市場主要以成品及Wafer銷售和配套服務為主。

替代AON7502應用30Vmos管廠家封裝
AON7502按照安裝在PCB板上的方式來劃分，MOS管封裝主要有兩大類：插入式(Through Hole)和表面貼裝式(Surface Mount)。
AON7502插入式就是MOSFET的管腳穿過PCB板的安裝孔并焊接在PCB板上。常見的插入式封裝有：雙列直插式封裝（DIP）、晶體管外形封裝（TO）、插針網格陣列封裝（PGA）三種樣式。
AON7502表面貼裝則是MOSFET的管腳及散熱法蘭焊接在PCB板表面的焊盤上。典型表面貼裝式封裝有：晶體管外形（D-PAK）、小外形晶體管（SOT）、小外形封裝（SOP）、方形扁平式封裝（QFP）、塑封有引線芯片載體（PLCC）等。
AON7502在完成MOS管芯片在制作之后，需要給MOS管芯片加上一個外殼，這就是MOS管封裝。該封裝外殼主要起著支撐、保護和冷卻的作用，同時還可為芯片提供電氣連接和隔離，從而將MOS管器件與其它元件構成完整的電路。
AON7502而不同的封裝、不同的設計，MOS管的規(guī)格尺寸、各類電性參數(shù)等都會不一樣，而它們在電路中所能起到的作用也會不一樣；另外，封裝還是電路設計中MOS管選擇的重要參考。封裝的重要性不言而喻，今天我們就來聊聊MOS管封裝的那些事。



需要了解更多關于替代AON7502應用30Vmos管廠家信息，請聯(lián)系我們的客戶經理！
華鎂用“芯”為您服務-替代AON7502應用30Vmos管廠家