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替代AON7406-半導(dǎo)體mos管開關(guān)
參考價(jià) | ¥ 1000 |
訂貨量 | ≥1個(gè) |
- 公司名稱 蘇州華鎂憶芯半導(dǎo)體有限公司
- 品牌 其他品牌
- 型號(hào)
- 產(chǎn)地
- 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)廠家
- 更新時(shí)間 2022/4/21 9:46:21
- 訪問次數(shù) 221
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產(chǎn)地類別 | 國(guó)產(chǎn) | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 醫(yī)療衛(wèi)生,能源,電子/電池,道路/軌道/船舶,電氣 |
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通道類型 | N | VX | 15-35-70-46-070 |
替代AON7406應(yīng)用藍(lán)牙音箱mos管開關(guān)工藝
AON7406通常認(rèn)為,半導(dǎo)體封裝主要有電氣特性的保持、芯片保護(hù)、應(yīng)力緩和及尺寸調(diào)整配合四大功能,它的作用是實(shí)現(xiàn)和保持從集成電路器件到系統(tǒng)之間的連接,包括電學(xué)連接和物理連接。目前,集成電路芯片的 I/0 線越來越多,它們的電源供應(yīng)和信號(hào)傳送都是要通過封裝來實(shí)現(xiàn)與系統(tǒng)的連接。芯片的速度越來越快,功率也越來越大,使得芯片的散熱問題日趨嚴(yán)重,由
于芯片鈍化層質(zhì)量的提高,封裝用以保護(hù)電路功能的作用其重要性正在下降。
AON7406激光打印激光打印是用激光射線的方式在塑封膠表面打印標(biāo)識(shí)和數(shù)碼。包括制造商的信息,器件代碼,封裝日期,可以作為識(shí)別和可追溯性。
替代AON7406常見問題
AON7406靜電分析:靜電的基本物理特性是:有吸引力或斥力;有電場(chǎng),與地球有電位差;產(chǎn)生放電電流。這三種情況對(duì)電子元件有以下影響:亥元件吸收灰塵,改變線路之間的阻抗,影響元件的功能和壽命。于電場(chǎng)或電流的作用,元件的絕緣層和導(dǎo)體損壞,使元件不能工作(*損壞)。于電場(chǎng)的瞬時(shí)軟擊穿或電流過熱,元件受到損壞。雖然它還能工作,但它的生命受到了損害。
靜電失效預(yù)防措施:OS電路輸入端的保護(hù)二極管在通電時(shí)的電流容限為1毫安。當(dāng)可能出現(xiàn)過大的瞬時(shí)輸入電流(大于10mA)時(shí),輸入保護(hù)電阻應(yīng)串聯(lián)。由于保護(hù)電路吸收的瞬時(shí)能量有限,過大的瞬時(shí)信號(hào)和過高的靜電電壓會(huì)使保護(hù)電路失效。在焊接過程中,烙鐵必須可靠接地,以防止設(shè)備輸入端子泄漏。一般使用時(shí),斷電后,可利用烙鐵的余熱進(jìn)行焊接,其接地腳應(yīng)先焊好。
例
鋰電池保護(hù)板做充放電開關(guān)使用
一般情況下,MOS都處于開或關(guān)的狀態(tài),不用考慮MOS的開關(guān)速度,會(huì)在整體電路上設(shè)計(jì)了快速關(guān)閉回路。
要注意以下幾個(gè)點(diǎn):
1,注意DS電壓,設(shè)計(jì)選型留有足夠的余量。按照1.5倍MOS管的BVDDS
2,注意工作電流與保護(hù)電流,經(jīng)驗(yàn)值是3~4倍以上為MOS的ID(DC) 。
3,多顆MOS并聯(lián),電流的余量盡量再大一點(diǎn)。
4,走大電流的方案,要綜合考慮封裝散熱,內(nèi)阻。
5,驅(qū)動(dòng)電壓要了解,盡量使MOS工作在*開啟狀態(tài),對(duì)于單片機(jī)驅(qū)動(dòng)的方案,盡量推薦低開啟的MOS。
另外在選用MOS管時(shí)要注意溝道類型,BVDDS ,ID導(dǎo)通電流,VGS(th),RDSON這幾項(xiàng)參數(shù)。
公司介紹
華鎂公司,為一家專業(yè)功率半導(dǎo)體組件(MOSFET)和集成電路芯片的設(shè)計(jì)公司。憑借著堅(jiān)實(shí)的產(chǎn)品開發(fā)、營(yíng)銷業(yè)務(wù)及營(yíng)運(yùn)團(tuán)隊(duì)。提供性能優(yōu)異、高信賴性、高性價(jià)比的產(chǎn)品及滿足客戶需求的服務(wù),已獲得眾多客戶于其節(jié)能電子產(chǎn)品中的廣泛使用。目前華鎂可提供的功率半導(dǎo)體元器件產(chǎn)品(12V~1200V)和集成電路芯片(鋰電保護(hù)和控制驅(qū)動(dòng)芯片),產(chǎn)品應(yīng)用范圍含蓋計(jì)算機(jī)(個(gè)人計(jì)算機(jī)與服務(wù)器)、電源供應(yīng)器、通訊電子產(chǎn)品、手持式電子裝置、消費(fèi)性產(chǎn)品及工業(yè)應(yīng)用產(chǎn)品等。
華鎂整個(gè)團(tuán)隊(duì)秉持著“成就客戶、努力奮斗、持續(xù)學(xué)習(xí)、進(jìn)取創(chuàng)新、誠(chéng)信正直、團(tuán)隊(duì)合作”理念,并已累積15年以上的產(chǎn)品開發(fā)經(jīng)驗(yàn)及50余個(gè)。
華鎂研發(fā)總部設(shè)在中國(guó)臺(tái)灣新竹科學(xué)工業(yè)園區(qū)(302 新竹縣竹北市),國(guó)內(nèi)研發(fā)和應(yīng)用總部位于張家港市和蕪湖市,國(guó)內(nèi)市場(chǎng)主要以成品及Wafer銷售和配套服務(wù)為主。
替代AON7406應(yīng)用藍(lán)牙音箱mos管開關(guān)封裝
AON7406采用的深溝道硅(trench silicon)MOSFET工藝,還能顯著降低傳導(dǎo)、開關(guān)和柵極電荷損耗;并能兼容多種控制器,可實(shí)現(xiàn)不同的工作模式,支持主動(dòng)相變換模式APS(Auto Phase Switching)。
AON7406除了QFN封裝外,雙邊扁平無引腳封裝(DFN)也是一種新的電子封裝工藝,在安森美的各種元器件中得到了廣泛采用,與QFN相比,DFN少了兩邊的引出電極。
AON7406除了外部封裝,基于電子制造對(duì)MOS管的需求的變化,內(nèi)部封裝技術(shù)也在不斷得到改進(jìn),這主要從三個(gè)方面進(jìn)行:改進(jìn)封裝內(nèi)部的互連技術(shù)、增加漏極散熱板、改變散熱的熱傳導(dǎo)方向。
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