替代AON7262E應(yīng)用筋膜槍mos管控制工藝
AON7262E對(duì)失效器件進(jìn)行失效分析。使用反應(yīng)離子刻蝕儀（RIE）配合鹽酸去除表面鈍化層和金屬層后，發(fā)光顯微鏡（EMMI）分析發(fā)現(xiàn)在器件源極元胞有異常點(diǎn)， 白色箭頭所指的亮點(diǎn)。發(fā)光顯微鏡（EMMI）分析能夠準(zhǔn)確獲得缺陷的具體定位。在取得缺陷定位的基礎(chǔ)上，使用了兩種手段對(duì)具體的缺陷類(lèi)型進(jìn)行分析。一種利用聚焦離子束（FIB），對(duì)缺陷點(diǎn)進(jìn)行切割，觀察缺陷斷面，確認(rèn)異常的源頭在溝槽底部的氧化層。第二種利用透射顯微鏡（TEM），TEM 的照片也顯示溝槽底部氧化層出現(xiàn)空洞。
AON7262E微電子封裝的功能：芯片電氣特性的保持功能通過(guò) PKG 的進(jìn)步，滿(mǎn)足不斷發(fā)展的高性能、小型化、高頻化等方
面的要求，確保其功能性。芯片保護(hù)功能 PKG 的芯片保護(hù)功能很直觀，保護(hù)芯片表面以及連接引線(xiàn)等，使在電氣或物
理等方面相當(dāng)柔嫩的芯片免受外力損害及外部環(huán)境的影響。保證可靠性。應(yīng)力緩和功能由于熱等外部環(huán)境的影響或者芯片自身發(fā)熱等都會(huì)產(chǎn)生應(yīng)力，PKG 緩解應(yīng)力，防止發(fā)生損壞失效，保證可靠性。尺寸調(diào)整配合（間距變化）功能由芯片的微細(xì)引線(xiàn)間距調(diào)整到實(shí)裝基板的尺寸間距，從而便于實(shí)裝操作。例如，從亞微米（目前已小于 0.13μm）為特征尺寸的芯片到以 10μm 為單位的芯片電極凸點(diǎn)，再到以 100μm 為單位的外部引線(xiàn)端子，最后到以 mm 為單位的實(shí)裝基板，都是通過(guò) PKG 來(lái)實(shí)現(xiàn)的。在這里 PKG 起著由小到大、由難到易、由復(fù)雜到簡(jiǎn)單的變換作用。從而可使操作費(fèi)用及資材費(fèi)用降低，而且提高工作效率和可靠性。保證實(shí)用性或通用性。


替代AON7262E常見(jiàn)問(wèn)題
AON7262E本二級(jí)管故障：不同的拓?fù)浜碗娐分?，MOS管具有不同的作用。例如，在LLC中，體二極管的速度也是影響MOS管可靠性的一個(gè)重要因素。由于二極管本身是寄生參數(shù)，因此很難區(qū)分漏源體二極管故障和漏源電壓故障。二極管故障的解決方案主要是通過(guò)結(jié)合自身電路來(lái)分析。


例

鋰電池保護(hù)板做充放電開(kāi)關(guān)使用

一般情況下，MOS都處于開(kāi)或關(guān)的狀態(tài)，不用考慮MOS的開(kāi)關(guān)速度，會(huì)在整體電路上設(shè)計(jì)了快速關(guān)閉回路。
要注意以下幾個(gè)點(diǎn)：
1，注意DS電壓，設(shè)計(jì)選型留有足夠的余量。按照1.5倍MOS管的BVDDS
2，注意工作電流與保護(hù)電流，經(jīng)驗(yàn)值是3~4倍以上為MOS的ID(DC) 。
3，多顆MOS并聯(lián)，電流的余量盡量再大一點(diǎn)。
4，走大電流的方案，要綜合考慮封裝散熱，內(nèi)阻。
5，驅(qū)動(dòng)電壓要了解，盡量使MOS工作在*開(kāi)啟狀態(tài)，對(duì)于單片機(jī)驅(qū)動(dòng)的方案，盡量推薦低開(kāi)啟的MOS。
另外在選用MOS管時(shí)要注意溝道類(lèi)型，BVDDS ，ID導(dǎo)通電流，VGS(th)，RDSON這幾項(xiàng)參數(shù)。

公司介紹
華鎂公司，為一家專(zhuān)業(yè)功率半導(dǎo)體組件(MOSFET)和集成電路芯片的設(shè)計(jì)公司。憑借著堅(jiān)實(shí)的產(chǎn)品開(kāi)發(fā)、營(yíng)銷(xiāo)業(yè)務(wù)及營(yíng)運(yùn)團(tuán)隊(duì)。提供性能優(yōu)異、高信賴(lài)性、高性?xún)r(jià)比的產(chǎn)品及滿(mǎn)足客戶(hù)需求的服務(wù)，已獲得眾多客戶(hù)于其節(jié)能電子產(chǎn)品中的廣泛使用。目前華鎂可提供的功率半導(dǎo)體元器件產(chǎn)品(12V~1200V)和集成電路芯片（鋰電保護(hù)和控制驅(qū)動(dòng)芯片），產(chǎn)品應(yīng)用范圍含蓋計(jì)算機(jī)(個(gè)人計(jì)算機(jī)與服務(wù)器)、電源供應(yīng)器、通訊電子產(chǎn)品、手持式電子裝置、消費(fèi)性產(chǎn)品及工業(yè)應(yīng)用產(chǎn)品等。
華鎂整個(gè)團(tuán)隊(duì)秉持著“成就客戶(hù)、努力奮斗、持續(xù)學(xué)習(xí)、進(jìn)取創(chuàng)新、誠(chéng)信正直、團(tuán)隊(duì)合作”理念，并已累積15年以上的產(chǎn)品開(kāi)發(fā)經(jīng)驗(yàn)及50余個(gè)世界利，期許華鎂產(chǎn)品能滿(mǎn)足客戶(hù)多方面的要求，讓華鎂能為球電子產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)盡一份努力，進(jìn)而達(dá)成具有越聲望的界級(jí)事業(yè)目標(biāo)。
華鎂研發(fā)總部設(shè)在中國(guó)臺(tái)灣新竹科學(xué)工業(yè)園區(qū)（302 新竹縣竹北市），國(guó)內(nèi)研發(fā)和應(yīng)用總部位于張家港市和蕪湖市，國(guó)內(nèi)市場(chǎng)主要以成品及Wafer銷(xiāo)售和配套服務(wù)為主。

替代AON7262E應(yīng)用筋膜槍mos管控制封裝
AON7262E方形扁平式封裝（QFP）
AON7262EQFP（Plastic Quad Flat Package）封裝的芯片引腳之間距離很小，管腳很細(xì)，一般在大規(guī)?；虺笮图呻娐分胁捎?，其引腳數(shù)一般在100個(gè)以上。
AON7262E用這種形式封裝的芯片必須采用SMT表面安裝技術(shù)將芯片與主板焊接起來(lái)。該封裝方式具有四大特點(diǎn)：
AON7262E①適用于SMD表面安裝技術(shù)在PCB電路板上安裝布線(xiàn)；
AON7262E②適合高頻使用；
AON7262E③操作方便,可靠性高；
AON7262E④芯片面積與封裝面積之間的比值較小。
AON7262E與PGA封裝方式一樣，該封裝方式將芯片包裹在塑封體內(nèi)，無(wú)法將芯片工作時(shí)產(chǎn)生的熱量及時(shí)導(dǎo)出，制約了MOSFET性能的提升；而且塑封本身增加了器件尺寸，不符合半導(dǎo)體向輕、薄、短、小方向發(fā)展的要求；另外，此類(lèi)封裝方式是基于單顆芯片進(jìn)行，存在生產(chǎn)效率低、封裝成本高的問(wèn)題。
AON7262E因此，QFP更適于微處理器/門(mén)陳列等數(shù)字邏輯LSI電路采用，也適于VTR信號(hào)處理、音響信號(hào)處理等模擬LSI電路產(chǎn)品封裝。



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