替代AON6932應用13串MOSFET工藝
AON6932前道生產主要指晶圓制造，包括光刻、等離子體刻蝕、離子注入、離子擴散、氧化、蒸發(fā)、氣相外延生長、濺射和化學氣相淀積等復雜的加工步驟. 這些加工步驟的目的是主要在硅片上創(chuàng)作出一個個具有完整功能的晶粒. 每個晶粒的電性能，由探針臺與自動測試設備搭建的晶圓測試平臺進行驗證. 不能通過測試的晶粒，會被點上墨點，作為不合格的標記. 在后道生產中會識別這些標記，有墨點的晶粒不會被加工. 由于晶圓被稱為Wafer 或者Die，對晶粒的測試也被稱為Wafer Sorting 或Die Sorting。
AON6932盡管上述RSO MOSFET和VLMOS結構有效降低了柵漏電容Cgd,但仍然存在柵漏極正對面積。為進一步減小柵漏極電容，Gajda和Goarin等人在RSO結構的基礎上提出了分裂柵極RSO MOS（split-gate RSO MOS)5),這種結構通過極間氧化物
（Inter Poly Oxide,IPO)將RSO MOS的多晶柵極分割為控制柵極與屏蔽柵極兩部分且后者與源極相接，通過屏蔽柵極作為場板保留了RSO MOS漂移區(qū)的RESURF結構，且?guī)缀跸藮怕O的正對面積，極大的減小了柵漏電容及電荷，提高了器件的開關特性。split-gate RSO MOS是SGT MOSFET的結構原形，為SGT MOSFET的改進和發(fā)展奠定了基礎。RSO MOS和VLMOS及 split-gate RSO MOS的結構。

例

鋰電池保護板做充放電開關使用

一般情況下，MOS都處于開或關的狀態(tài)，不用考慮MOS的開關速度，會在整體電路上設計了快速關閉回路。
要注意以下幾個點：
1，注意DS電壓，設計選型留有足夠的余量。按照1.5倍MOS管的BVDDS
2，注意工作電流與保護電流，經驗值是3~4倍以上為MOS的ID(DC) 。
3，多顆MOS并聯，電流的余量盡量再大一點。
4，走大電流的方案，要綜合考慮封裝散熱，內阻。
5，驅動電壓要了解，盡量使MOS工作在*開啟狀態(tài)，對于單片機驅動的方案，盡量推薦低開啟的MOS。
另外在選用MOS管時要注意溝道類型，BVDDS ，ID導通電流，VGS(th)，RDSON這幾項參數。

公司介紹
華鎂公司，為一家專業(yè)功率半導體組件(MOSFET)和集成電路芯片的設計公司。憑借著堅實的產品開發(fā)、營銷業(yè)務及營運團隊。提供性能優(yōu)異、高信賴性、高性價比的產品及滿足客戶需求的服務，已獲得眾多客戶于其節(jié)能電子產品中的廣泛使用。目前華鎂可提供的功率半導體元器件產品(12V~1200V)和集成電路芯片（鋰電保護和控制驅動芯片），產品應用范圍含蓋計算機(個人計算機與服務器)、電源供應器、通訊電子產品、手持式電子裝置、消費性產品及工業(yè)應用產品等。
華鎂整個團隊秉持著“成就客戶、努力奮斗、持續(xù)學習、進取創(chuàng)新、誠信正直、團隊合作”理念，并已累積15年以上的產品開發(fā)經驗及50余個。
華鎂研發(fā)總部設在中國臺灣新竹科學工業(yè)園區(qū)（302 新竹縣竹北市），國內研發(fā)和應用總部位于張家港市和蕪湖市，國內市場主要以成品及Wafer銷售和配套服務為主。

替代AON6932應用13串MOSFET封裝
AON6932小外形晶體管封裝（SOT）
AON6932SOT（Small Out-Line Transistor）是貼片型小功率晶體管封裝，主要有SOT23、SOT89、SOT143、SOT25（即SOT23-5）等，又衍生出SOT323、SOT363/SOT26（即SOT23-6）等類型，體積比TO封裝小。



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