替代AON6560應(yīng)用電動(dòng)工具M(jìn)OS管工藝
AON6560溝槽式柵極 MOSFET 是將 VD MOSFT 中的“T”導(dǎo)電通路縮短為兩條平行的垂直型導(dǎo)電通路，從而降低通態(tài)電阻。U 型溝槽為平面型演變，切開翻轉(zhuǎn) 90 度，柵結(jié)構(gòu)不與螺片表面平行而是構(gòu)建在溝道之中垂直于表面，因此占用空間較少且使電流流動(dòng)真正垂直，最小化基本單元面積，在相同的站位空間中可以集成更多的單元從而降低 Rdson，并維持電容不變。Trench MOSFET 制作工藝是采用 RIE挖深槽，再用多晶硅填充柵極。
AON6560同時(shí)，新工藝和新的Trench結(jié)構(gòu)也不斷使得Trench MOS的性能越來越優(yōu)秀。比如，韓國(guó)的Jongdae Kim等人提出了一個(gè)利用氫退火的自對(duì)準(zhǔn)工藝，這個(gè)工藝只需要3塊光刻版就可以制作出一個(gè)可靠性很強(qiáng)的Trench結(jié)構(gòu)［8].日本的Toyota公司提出了一種應(yīng)用于汽車電子FITMOS結(jié)構(gòu)，性能要比傳統(tǒng)的Trench MOS好50%以上［9].在2003年，韓國(guó)的ETRI組織提出的兩種新的Trench結(jié)構(gòu)可以將單胞尺寸做到1.6um,在擊穿電壓為43V時(shí)，開態(tài)特性電阻為0.28mΩ.c㎡[10].隨著Trench MOS結(jié)構(gòu)和工藝的越來越成熟，人們不再把Trench MOS局限在低壓的范圍內(nèi)。隨著把“super Junction”和“multi RESURF”技術(shù)的引入，100V的Trench MOSFET已經(jīng)日趨成熟，250V、300V的Trench MOSFET也開始有了報(bào)道。目前國(guó)外很多公司已經(jīng)涉足該領(lǐng)域。如美國(guó)國(guó)際整流器IR(InternationalRectifier)公司應(yīng)用于汽車領(lǐng)域的基于Trench MOSFET的產(chǎn)品，耐壓包括40V、55V、75V、100V.美國(guó)仙童半導(dǎo)體（Fairchild Semiconductor)的Trench MOSFET產(chǎn)品FDB045AN08A0,耐75V,RpsON可以做到3.9mΩ.c㎡(VGs=10V);2003年4月推出的FDB3632/FDP3632/FD13632,耐壓達(dá)到100V,RDSON做到7.5mΩ.c㎡（Vos=10V)。

替代AON6560常見問題
AON6560本二級(jí)管故障：不同的拓?fù)浜碗娐分?，MOS管具有不同的作用。例如，在LLC中，體二極管的速度也是影響MOS管可靠性的一個(gè)重要因素。由于二極管本身是寄生參數(shù)，因此很難區(qū)分漏源體二極管故障和漏源電壓故障。二極管故障的解決方案主要是通過結(jié)合自身電路來分析。


例

鋰電池保護(hù)板做充放電開關(guān)使用

一般情況下，MOS都處于開或關(guān)的狀態(tài)，不用考慮MOS的開關(guān)速度，會(huì)在整體電路上設(shè)計(jì)了快速關(guān)閉回路。
要注意以下幾個(gè)點(diǎn)：
1，注意DS電壓，設(shè)計(jì)選型留有足夠的余量。按照1.5倍MOS管的BVDDS
2，注意工作電流與保護(hù)電流，經(jīng)驗(yàn)值是3~4倍以上為MOS的ID(DC) 。
3，多顆MOS并聯(lián)，電流的余量盡量再大一點(diǎn)。
4，走大電流的方案，要綜合考慮封裝散熱，內(nèi)阻。
5，驅(qū)動(dòng)電壓要了解，盡量使MOS工作在*開啟狀態(tài)，對(duì)于單片機(jī)驅(qū)動(dòng)的方案，盡量推薦低開啟的MOS。
另外在選用MOS管時(shí)要注意溝道類型，BVDDS ，ID導(dǎo)通電流，VGS(th)，RDSON這幾項(xiàng)參數(shù)。

公司介紹
華鎂公司，為一家專業(yè)功率半導(dǎo)體組件(MOSFET)和集成電路芯片的設(shè)計(jì)公司。憑借著堅(jiān)實(shí)的產(chǎn)品開發(fā)、營(yíng)銷業(yè)務(wù)及營(yíng)運(yùn)團(tuán)隊(duì)。提供性能優(yōu)異、高信賴性、高性價(jià)比的產(chǎn)品及滿足客戶需求的服務(wù)，已獲得眾多客戶于其節(jié)能電子產(chǎn)品中的廣泛使用。目前華鎂可提供的功率半導(dǎo)體元器件產(chǎn)品(12V~1200V)和集成電路芯片（鋰電保護(hù)和控制驅(qū)動(dòng)芯片），產(chǎn)品應(yīng)用范圍含蓋計(jì)算機(jī)(個(gè)人計(jì)算機(jī)與服務(wù)器)、電源供應(yīng)器、通訊電子產(chǎn)品、手持式電子裝置、消費(fèi)性產(chǎn)品及工業(yè)應(yīng)用產(chǎn)品等。
華鎂整個(gè)團(tuán)隊(duì)秉持著“成就客戶、努力奮斗、持續(xù)學(xué)習(xí)、進(jìn)取創(chuàng)新、誠(chéng)信正直、團(tuán)隊(duì)合作”理念，并已累積15年以上的產(chǎn)品開發(fā)經(jīng)驗(yàn)及50余個(gè)。
華鎂研發(fā)總部設(shè)在中國(guó)臺(tái)灣新竹科學(xué)工業(yè)園區(qū)（302 新竹縣竹北市），國(guó)內(nèi)研發(fā)和應(yīng)用總部位于張家港市和蕪湖市，國(guó)內(nèi)市場(chǎng)主要以成品及Wafer銷售和配套服務(wù)為主。

替代AON6560應(yīng)用電動(dòng)工具M(jìn)OS管封裝
AON6560有些電子系統(tǒng)受制于PCB的尺寸和內(nèi)部的高度，如通信系統(tǒng)的模塊電源由于高度的限制通常采用DFN5*6、DFN3*3的封裝；在有些ACDC的電源中，使用超薄設(shè)計(jì)或由于外殼的限制，適于裝配TO220封裝的功率MOS管，此時(shí)引腳可直接插到根部，而不適于使用TO247封裝的產(chǎn)品；也有些超薄設(shè)計(jì)需要將器件管腳折彎平放，這會(huì)加大MOS管選用的復(fù)雜度。

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