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替代AOD403-半導(dǎo)體大電流mos管
參考價 | ¥ 1000 |
訂貨量 | ≥1個 |
- 公司名稱 蘇州華鎂憶芯半導(dǎo)體有限公司
- 品牌 其他品牌
- 型號
- 產(chǎn)地
- 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)廠家
- 更新時間 2022/4/22 9:46:09
- 訪問次數(shù) 180
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產(chǎn)地類別 | 國產(chǎn) | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 醫(yī)療衛(wèi)生,能源,電子/電池,道路/軌道/船舶,電氣 |
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通道類型 | N | VX | 15-35-70-46-070 |
替代AOD403應(yīng)用手電鉆大電流mos管工藝
AOD403在國內(nèi),雖然有不少公司已經(jīng)涉及該領(lǐng)域,并有Trench MOSFET問世,特別是在低壓低功率方面。但有關(guān)Trench MOS的研究和制作畢竟還處于剛剛起步的狀態(tài),許多技術(shù)和工藝還是空白,研究和制作Trench MOS是很有意義的。
ESD保護柵結(jié)構(gòu)的功率 MOSFET 發(fā)展現(xiàn)狀:低壓溝槽MOSFET器件通常被當(dāng)做電機驅(qū)動,同步整流等方面的電壓驅(qū)動功
率開關(guān)使用,其工作方式不同于一般電路的工作情況,器件既要防止靜電造成柵氧化層的擊穿,同時還要防止應(yīng)用系統(tǒng)產(chǎn)生的過電壓施加到功率MOSFET的柵極上,帶來功率器件的損壞。因此,功率MOSFET的器件設(shè)計,除了要考慮器件的抗雪崩能力之外,還需努力提高功率MOSFET的抗靜電能力和抗過電壓能力。
AOD403VV MOSFET 是一個商業(yè)化功率 MOSFET,VV MOSFET 是利用 V 型槽來實現(xiàn)垂直導(dǎo)電,當(dāng) Vgs 大于 0 時,在 V 型槽外壁與硅表面接觸的地方形成一個電場,P 區(qū)時 N+區(qū)域的電子受到吸引,當(dāng) Vgs 足夠大時,就會形成 N 型導(dǎo)電溝道,使漏、源極之間有電流流過;VV MOSFET 特點:VV MOSFET 不僅繼承了 LD MOSFET 輸入阻抗高、驅(qū)動電流小、還具有耐壓高(高可耐壓 1200V)、工作電流大(1.5A~100A)、跨導(dǎo)線性好、開關(guān)速度快等優(yōu)良特性;但因 VV MOSFET 是利用各向異性原理濕法腐蝕形成溝槽結(jié)構(gòu),其工藝穩(wěn)定性不佳且存在端放電的問題,所以目前使用較少。 VV MOSFET 主要應(yīng)用在電壓放大器、功率放大器、開關(guān)電源和逆變器中。
例
鋰電池保護板做充放電開關(guān)使用
一般情況下,MOS都處于開或關(guān)的狀態(tài),不用考慮MOS的開關(guān)速度,會在整體電路上設(shè)計了快速關(guān)閉回路。
要注意以下幾個點:
1,注意DS電壓,設(shè)計選型留有足夠的余量。按照1.5倍MOS管的BVDDS
2,注意工作電流與保護電流,經(jīng)驗值是3~4倍以上為MOS的ID(DC) 。
3,多顆MOS并聯(lián),電流的余量盡量再大一點。
4,走大電流的方案,要綜合考慮封裝散熱,內(nèi)阻。
5,驅(qū)動電壓要了解,盡量使MOS工作在*開啟狀態(tài),對于單片機驅(qū)動的方案,盡量推薦低開啟的MOS。
另外在選用MOS管時要注意溝道類型,BVDDS ,ID導(dǎo)通電流,VGS(th),RDSON這幾項參數(shù)。
公司介紹
華鎂公司,為一家專業(yè)功率半導(dǎo)體組件(MOSFET)和集成電路芯片的設(shè)計公司。憑借著堅實的產(chǎn)品開發(fā)、營銷業(yè)務(wù)及營運團隊。提供性能優(yōu)異、高信賴性、高性價比的產(chǎn)品及滿足客戶需求的服務(wù),已獲得眾多客戶于其節(jié)能電子產(chǎn)品中的廣泛使用。目前華鎂可提供的功率半導(dǎo)體元器件產(chǎn)品(12V~1200V)和集成電路芯片(鋰電保護和控制驅(qū)動芯片),產(chǎn)品應(yīng)用范圍含蓋計算機(個人計算機與服務(wù)器)、電源供應(yīng)器、通訊電子產(chǎn)品、手持式電子裝置、消費性產(chǎn)品及工業(yè)應(yīng)用產(chǎn)品等。
華鎂整個團隊秉持著“成就客戶、努力奮斗、持續(xù)學(xué)習(xí)、進取創(chuàng)新、誠信正直、團隊合作”理念,并已累積15年以上的產(chǎn)品開發(fā)經(jīng)驗及50余個。
華鎂研發(fā)總部設(shè)在中國臺灣新竹科學(xué)工業(yè)園區(qū)(302 新竹縣竹北市),國內(nèi)研發(fā)和應(yīng)用總部位于張家港市和蕪湖市,國內(nèi)市場主要以成品及Wafer銷售和配套服務(wù)為主。
替代AOD403應(yīng)用手電鉆大電流mos管封裝
AOD403采用的深溝道硅(trench silicon)MOSFET工藝,還能顯著降低傳導(dǎo)、開關(guān)和柵極電荷損耗;并能兼容多種控制器,可實現(xiàn)不同的工作模式,支持主動相變換模式APS(Auto Phase Switching)。
AOD403除了QFN封裝外,雙邊扁平無引腳封裝(DFN)也是一種新的電子封裝工藝,在安森美的各種元器件中得到了廣泛采用,與QFN相比,DFN少了兩邊的引出電極。
AOD403除了外部封裝,基于電子制造對MOS管的需求的變化,內(nèi)部封裝技術(shù)也在不斷得到改進,這主要從三個方面進行:改進封裝內(nèi)部的互連技術(shù)、增加漏極散熱板、改變散熱的熱傳導(dǎo)方向。
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