代換AP9971GH應(yīng)用掃地機(jī)器人mos管場(chǎng)效應(yīng)管封裝
AP9971GH有些電子系統(tǒng)受制于PCB的尺寸和內(nèi)部的高度，如通信系統(tǒng)的模塊電源由于高度的限制通常采用DFN5*6、DFN3*3的封裝；在有些ACDC的電源中，使用超薄設(shè)計(jì)或由于外殼的限制，適于裝配TO220封裝的功率MOS管，此時(shí)引腳可直接插到根部，而不適于使用TO247封裝的產(chǎn)品；也有些超薄設(shè)計(jì)需要將器件管腳折彎平放，這會(huì)加大MOS管選用的復(fù)雜度。

代換AP9971GH常見問題
AP9971GHMOS 開關(guān)原理（簡(jiǎn)要）。MOS 是電壓驅(qū)動(dòng)型器件，只要柵極和源級(jí)間給一個(gè)適當(dāng)電壓，源級(jí)和漏級(jí)間通路就形成。這個(gè)電流通路的電阻被成為 MOS 內(nèi)阻，就是導(dǎo)通電阻。這個(gè)內(nèi)阻大小基本決定了 MOS 芯片能承受的大導(dǎo)通電流（當(dāng)然和其它因素有關(guān)，有關(guān)的是熱阻）。內(nèi)阻越小承受電流越大（因?yàn)榘l(fā)熱?。?。
AP9971GHMOS 問題遠(yuǎn)沒這么簡(jiǎn)單，麻煩在它的柵極和源級(jí)間，源級(jí)和漏級(jí)間，柵極和漏級(jí)間內(nèi)部都有等效電容。所以給柵極電壓的過程就是給電容充電的過程（電容電壓不能突變），所以 MOS 源級(jí)和漏級(jí)間由截止到導(dǎo)通的開通過程受柵極電容的充電過程制約。
然而，這三個(gè)等效電容是構(gòu)成串并聯(lián)組合關(guān)系，它們相互影響，并不是獨(dú)立的，如果獨(dú)立的就很簡(jiǎn)單了。其中一個(gè)關(guān)鍵電容就是柵極和漏級(jí)間的電容 Cgd，這個(gè)電容業(yè)界稱為米勒電容。這個(gè)電容不是恒定的，隨柵極和漏級(jí)間電壓變化而迅速變化。這個(gè)米勒電容是柵極和源級(jí)電容充電的絆腳石，因?yàn)闁艠O給柵 - 源電容 Cgs 充電達(dá)到一個(gè)平臺(tái)后，柵極的充電電流必須給米勒電容 Cgd 充電，這時(shí)柵極和源級(jí)間電壓不再升高，達(dá)到一個(gè)平臺(tái)，這個(gè)是米勒平臺(tái)（米勒平臺(tái)就是給 Cgd 充電的過程），米勒平臺(tái)大家首先想到的麻煩就是米勒振蕩。（即，柵極先給 Cgs 充電，到達(dá)一定平臺(tái)后再給 Cgd 充電）
因?yàn)檫@個(gè)時(shí)候源級(jí)和漏級(jí)間電壓迅速變化，內(nèi)部電容相應(yīng)迅速充放電，這些電流脈沖會(huì)導(dǎo)致 MOS 寄生電感產(chǎn)生很大感抗，這里面就有電容，電感，電阻組成震蕩電路（能形成 2 個(gè)回路），并且電流脈沖越強(qiáng)頻率越高震蕩幅度越大。所以最關(guān)鍵的問題就是這個(gè)米勒平臺(tái)如何過渡。
Gs 極加電容，減慢 MOS 管導(dǎo)通時(shí)間，有助于減小米勒振蕩。防止 MOS 管燒毀。

需要了解更多關(guān)于代換AP9971GH半導(dǎo)體-蘇州華鎂信息，請(qǐng)聯(lián)系我們的客戶經(jīng)理！
華鎂用“芯”為您服務(wù)-代換AP9971GH半導(dǎo)體-蘇州華鎂