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那諾中國(guó)有限公司
中級(jí)會(huì)員 | 第11年

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  • NMC-4000（M） MOCVD設(shè)備

    NMC-4000（M） MOCVD設(shè)備：NANO-MASTER針對(duì)InGaN及AlGaN沉積工藝所研發(fā)的臺(tái)式等離子輔助金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)（PA-MOCVD...

    型號(hào)： 所在地：國(guó)外參考價(jià)： 面議更新時(shí)間：2025/4/28 9:21:20 對(duì)比
    進(jìn)口PAMOCVD進(jìn)口PEMOCVD等離子MOCVD金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉等離子輔助MOCVD
  • NMC-3000等離子輔助MOCVD

    NMC-3000等離子輔助MOCVD系統(tǒng)：針對(duì)InGaN及AlGaN沉積工藝所研發(fā)的臺(tái)式等離子輔助金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)（PA-MOCVD）,該系統(tǒng)具有5個(gè)鼓...

    型號(hào)： 所在地：國(guó)外參考價(jià)： 面議更新時(shí)間：2025/4/28 9:19:46 對(duì)比
    進(jìn)口PAMOCVD進(jìn)口PEMOCVD等離子MOCVD金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉等離子輔助MOCVD
  • NLD-4000（ICPM）PEALD系統(tǒng)

    NLD-4000（ICPM）PEALD系統(tǒng)：ALD原子層沉積可以滿足準(zhǔn)確膜厚控制以及高深寬比結(jié)構(gòu)的保形沉積，這方面ALD原子層沉積遠(yuǎn)超過(guò)其它沉積技術(shù)。由于前驅(qū)體...

    型號(hào)： 所在地：國(guó)外參考價(jià)： 面議更新時(shí)間：2025/4/28 9:17:45 對(duì)比
    ALD等離子ALDPlasma增強(qiáng)ALD進(jìn)口原子層沉積系統(tǒng)進(jìn)口PEALD系統(tǒng)
  • NLD-4000（ICPA）全自動(dòng)PEALD系統(tǒng)

    NLD-4000（ICPA）全自動(dòng)PEALD系統(tǒng)：ALD原子層沉積可以滿足精確膜厚控制以及高深寬比結(jié)構(gòu)的保形沉積，這方面ALD原子層沉積遠(yuǎn)超過(guò)其它沉積技術(shù)。由于...

    型號(hào)： 所在地：國(guó)外參考價(jià)： 面議更新時(shí)間：2025/4/28 9:15:28 對(duì)比
    ALDPEALD進(jìn)口全自動(dòng)PEALD等離子增強(qiáng)原子層沉積原子層沉積
  • NLD-3500（A）全自動(dòng)原子層沉積設(shè)備

    NLD-3500（A）全自動(dòng)原子層沉積設(shè)備：ALD原子層沉積可以滿足精確膜厚控制以及高深寬比結(jié)構(gòu)的保形沉積，這方面ALD原子層沉積遠(yuǎn)超過(guò)其它沉積技術(shù)。由于前驅(qū)體...

    型號(hào)： 所在地：國(guó)外參考價(jià)： 面議更新時(shí)間：2025/4/28 9:13:50 對(duì)比
    ALD進(jìn)口ALD進(jìn)口全自動(dòng)ALD進(jìn)口全自動(dòng)原子層沉積進(jìn)口沉積設(shè)備
  • NLD-3500（M）原子層沉積系統(tǒng)

    NLD-3500（M）原子層沉積系統(tǒng)：ALD原子層沉積可以滿足精確膜厚控制以及高深寬比結(jié)構(gòu)的保形沉積，這方面ALD原子層沉積遠(yuǎn)超過(guò)其它沉積技術(shù)。由于前驅(qū)體流量的...

    型號(hào)： 所在地：國(guó)外參考價(jià)： 面議更新時(shí)間：2025/4/28 9:11:36 對(duì)比
    ALD進(jìn)口ALDALD報(bào)價(jià)原子層沉積系統(tǒng)報(bào)價(jià)進(jìn)口ALD系統(tǒng)
  • NLD-4000（A）全自動(dòng)原子層沉積系統(tǒng)

    NLD-4000（A）全自動(dòng)原子層沉積系統(tǒng)：ALD原子層沉積可以滿足精確膜厚控制以及高深寬比結(jié)構(gòu)的保形沉積，這方面ALD原子層沉積遠(yuǎn)超過(guò)其它沉積技術(shù)。由于前驅(qū)體...

    型號(hào)： 所在地：國(guó)外參考價(jià)： 面議更新時(shí)間：2025/4/28 9:09:50 對(duì)比
    ALD全自動(dòng)ALD報(bào)價(jià)進(jìn)口全自動(dòng)ALDALD報(bào)價(jià)進(jìn)口ALD報(bào)價(jià)
  • NLD-4000（M）原子層沉積系統(tǒng)

    NLD-4000（M）原子層沉積系統(tǒng)：ALD原子層沉積可以滿足精確膜厚控制以及高深寬比結(jié)構(gòu)的保形沉積，這方面ALD原子層沉積遠(yuǎn)超過(guò)其它沉積技術(shù)。由于前驅(qū)體流量的...

    型號(hào)： 所在地：國(guó)外參考價(jià)： 面議更新時(shí)間：2025/4/28 9:07:51 對(duì)比
    進(jìn)口ALD系統(tǒng)進(jìn)口原子層沉積系統(tǒng)進(jìn)口ALD報(bào)價(jià)ALDALD報(bào)價(jià)
  • 原子層沉積系統(tǒng)

    NLD-3000原子層沉積系統(tǒng)：ALD原子層沉積可以滿足精確膜厚控制以及高深寬比結(jié)構(gòu)的保形沉積，這方面ALD原子層沉積遠(yuǎn)超過(guò)其它沉積技術(shù)。由于前驅(qū)體流量的隨意性...

    型號(hào)： NLD-3000 所在地：國(guó)外參考價(jià)： 面議更新時(shí)間：2025/4/28 9:05:42 對(duì)比
    進(jìn)口ALDALD價(jià)格ALD原子層沉積報(bào)價(jià)進(jìn)口ALD報(bào)價(jià)
  • 全自動(dòng)ICPECVD等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)

    NPE-4000（ICPA）全自動(dòng)ICPECVD等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng): NM的PECVD能夠沉積高質(zhì)量SiO2, Si3N4, DLC膜到Z大可達(dá)6" 基片...

    型號(hào)： NPE-4000（... 所在地：國(guó)外參考價(jià)： 面議更新時(shí)間：2025/4/28 9:03:44 對(duì)比
    進(jìn)口全自動(dòng)ICPECVDICP PECVD
  • ICPECVD等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)

    NPE-4000（ICPM）ICPECVD等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng): NM的PECVD能夠沉積高質(zhì)量SiO2, Si3N4, 或DLC膜到Z大可達(dá)12" 的基片...

    型號(hào)： NPE-4000（... 所在地：國(guó)外參考價(jià)： 面議更新時(shí)間：2025/4/28 9:01:22 對(duì)比
    進(jìn)口ICPECVDICPPECVD
  • 全自動(dòng)PECVD等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)

    NPE-4000（A）全自動(dòng)PECVD等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng): NM的PECVD能夠沉積高質(zhì)量SiO2, Si3N4, 或DLC膜到Z大可達(dá)12" 的基片.淋...

    型號(hào)： NPE-4000（... 所在地：國(guó)外參考價(jià)： 面議更新時(shí)間：2025/4/28 8:59:11 對(duì)比
    進(jìn)口PECVD進(jìn)口全自動(dòng)PECVD等離子化學(xué)氣相沉
  • NPE-4000（M）PECVD等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)

    NPE-4000（M）PECVD等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng): NM的PECVD能夠沉積高質(zhì)量SiO2, Si3N4, 或DLC膜到Z大可達(dá)12" 的基片.淋浴頭電...

    型號(hào)： 所在地：國(guó)外參考價(jià)： 面議更新時(shí)間：2025/4/28 8:57:07 對(duì)比
    進(jìn)口PECVD進(jìn)口等離子體PECVD等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉
  • NPE-3500 PECVD等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)

    NPE-3500 PECVD等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng): NM的PECVD能夠沉積高質(zhì)量SiO2, Si3N4, 或DLC膜到Z大可達(dá)12" 的基片.淋浴頭電極或...

    型號(hào)： 所在地：國(guó)外參考價(jià)： 面議更新時(shí)間：2025/4/28 8:55:15 對(duì)比
    進(jìn)口PECVD進(jìn)口等離子體PECVD等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉
  • NPE-3000 PECVD等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)

    NPE-3000 PECVD等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng): NM的PECVD能夠沉積高質(zhì)量SiO2, Si3N4, 或DLC膜到Z大可達(dá)12" 的基片.淋浴頭電極或...

    型號(hào)： 所在地：國(guó)外參考價(jià)： 面議更新時(shí)間：2025/4/28 8:53:32 對(duì)比
    進(jìn)口PECVD臺(tái)式PECVD進(jìn)口等離子體PECVD等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉
  • NSC-4000（A）全自動(dòng)磁控濺射系統(tǒng)

    NSC-4000（A）全自動(dòng)磁控濺射系統(tǒng)：立式自動(dòng)系統(tǒng)，帶有水冷或者加熱（Z高可加熱到700度）功能，Z大到6“旋轉(zhuǎn)平臺(tái)，Z大可支持到4個(gè)偏軸平面磁控管。系統(tǒng)配...

    型號(hào)： 所在地：國(guó)外參考價(jià)： 面議更新時(shí)間：2025/4/28 8:51:32 對(duì)比
    磁控濺射鍍膜系統(tǒng)進(jìn)口全自動(dòng)磁控濺射臺(tái)全自動(dòng)磁控濺射鍍膜儀全自動(dòng)磁控濺射鍍膜機(jī)
  • 磁控濺射系統(tǒng)

    NSC-4000（M）磁控濺射系統(tǒng)：帶有水冷或者加熱（可加熱到700度）功能，可達(dá)到到8“旋轉(zhuǎn)平臺(tái)，支持到4個(gè)偏軸平面磁控管。系統(tǒng)配套渦輪分子泵，極限真空可達(dá)1...

    型號(hào)： NSC-4000（... 所在地：國(guó)外參考價(jià)： 面議更新時(shí)間：2025/4/28 8:49:27 對(duì)比
    Sputter System進(jìn)口磁控濺射系統(tǒng)磁控濺射臺(tái)進(jìn)口真空鍍膜儀
  • NSC-3500（A）全自動(dòng)磁控濺射系統(tǒng)

    NSC-3500（A）全自動(dòng)磁控濺射系統(tǒng)：立式自動(dòng)系統(tǒng)，帶有水冷或者加熱（可加熱到700度）功能，可達(dá)6“旋轉(zhuǎn)平臺(tái)，支持到4個(gè)偏軸平面磁控管。系統(tǒng)配套渦輪分子泵...

    型號(hào)： 所在地：國(guó)外參考價(jià)： 面議更新時(shí)間：2025/4/28 8:47:43 對(duì)比
    NSC-3500磁控濺射系統(tǒng)全自動(dòng)磁控濺射系統(tǒng)進(jìn)口全自動(dòng)濺射臺(tái)全自動(dòng)濺射鍍膜機(jī)
  • NSC-3500（M）磁控濺射系統(tǒng)

    NSC-3500（M）磁控濺射系統(tǒng)：帶有水冷或者加熱（可加熱到700度）功能，可達(dá)8“旋轉(zhuǎn)平臺(tái)，支持到3個(gè)偏軸平面磁控管。系統(tǒng)配套渦輪分子泵，極限真空可達(dá)10-...

    型號(hào)： 所在地：國(guó)外參考價(jià)： 面議更新時(shí)間：2025/4/28 8:45:38 對(duì)比
    Sputter System進(jìn)口磁控濺射系統(tǒng)磁控濺射臺(tái)進(jìn)口真空鍍膜儀
  • NSC-3000（A）全自動(dòng)磁控濺射系統(tǒng)

    NSC-3000（A）全自動(dòng)磁控濺射系統(tǒng)：臺(tái)式自動(dòng)系統(tǒng)，帶有水冷或者加熱（可加熱到700度）功能，可達(dá)6“旋轉(zhuǎn)平臺(tái)，支持到3個(gè)偏軸平面磁控管。系統(tǒng)配套渦輪分子泵...

    型號(hào)： 所在地：國(guó)外參考價(jià)： 面議更新時(shí)間：2025/4/28 8:43:45 對(duì)比
    NSC-3000磁控濺射系統(tǒng)全自動(dòng)磁控濺射系統(tǒng)進(jìn)口全自動(dòng)濺射臺(tái)全自動(dòng)濺射鍍膜機(jī)
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