當(dāng)前位置：束蘊(yùn)儀器（上海）有限公司>>技術(shù)文章展示
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2024
08-08應(yīng)用分享 | 鈣鈦礦太陽能電池中的能級(jí)調(diào)控和改性
鈣鈦礦材料因具備較長(zhǎng)的電子-空穴擴(kuò)散長(zhǎng)度、較大的光學(xué)吸收系數(shù)、較強(qiáng)的激子躍遷及可低溫制備等諸多優(yōu)點(diǎn),成為了光伏太陽能領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)。以鈣鈦礦材料作為光活性層的太陽能電池器件,由于其簡(jiǎn)單的加工工藝和出色的能量轉(zhuǎn)換效率，更是引起了普遍的研究興趣。自2009年報(bào)道以來，有機(jī)無機(jī)雜化鈣鈦礦太陽能電池（PerovskiteSolarCells，PSCs）的效率已超過25%，成為具有潛力的光伏器件之一。然而，PSCs在多種環(huán)境條件下服役的穩(wěn)定性仍未達(dá)到商業(yè)化使用標(biāo)準(zhǔn)，PSCs性能的提升及其應(yīng)用推廣仍然面臨極2024
07-30怎么才能延長(zhǎng)X射線三維成像系統(tǒng)的使用壽命
X射線三維成像系統(tǒng)是實(shí)驗(yàn)室中常用的設(shè)備，主要用于樣品的內(nèi)部結(jié)構(gòu)分析。這種設(shè)備在使用過程中，需要注意養(yǎng)護(hù)，以保證其正常工作和使用壽命。以下是一些養(yǎng)護(hù)細(xì)節(jié)：1.清潔：X射線三維成像系統(tǒng)的外部和內(nèi)部都應(yīng)保持清潔。外部可以用軟布擦拭，內(nèi)部則需用專用的清潔劑和工具進(jìn)行清潔。特別注意不要讓灰塵和雜質(zhì)進(jìn)入設(shè)備內(nèi)部，否則可能會(huì)影響設(shè)備的性能。2.溫度和濕度：設(shè)備應(yīng)存放在溫度和濕度適宜的環(huán)境中。過高或過低的溫度都可能影響設(shè)備的正常工作，濕度過高可能會(huì)導(dǎo)致設(shè)備內(nèi)部的電路短路。3.電源：設(shè)備的電源應(yīng)穩(wěn)定可靠，避免電壓2024
07-24晶體日記 （十一）-尋找“Q”峰背后的原因(4):“單選題”or“多選題”
衍射圖，討論二對(duì)于非缺面孿晶導(dǎo)致|Fo|不對(duì)的問題，如果我們養(yǎng)成了良好的習(xí)慣：對(duì)于所有的晶體都應(yīng)在RLATT里檢查倒易點(diǎn)陣的排列，那么我們就會(huì)馬上去發(fā)現(xiàn)晶體的問題。然而除了非缺面孿晶，晶體的問題還包括很多，比如超晶格，調(diào)制結(jié)構(gòu)（周期或者非周期的衛(wèi)星衍射點(diǎn)），彌散的衍射信號(hào)等。但是單晶衍射數(shù)據(jù)處理的過程中，通常是基于定出的晶胞對(duì)有限的數(shù)據(jù)進(jìn)行還原，而不是所產(chǎn)生的數(shù)據(jù)，所以很多被排除在外的信號(hào)其實(shí)表示了晶體內(nèi)含的一些結(jié)構(gòu)性質(zhì)。而這些在hkl文件并不會(huì)體現(xiàn)出來。從某種意義上說，單晶衍射是采用晶體的理論2024
07-24晶體日記 （十）- 尋找“Q”峰背后的原因(3)：孿晶有“鬼”
衍射圖，討論一關(guān)于很多同學(xué)眼中的“鬼峰”，我們看過了“答案”起源于基本的數(shù)據(jù)處理（數(shù)據(jù)還原和數(shù)據(jù)校正）對(duì)|Fo|的影響。很多時(shí)候在遇到偏大的Q峰的時(shí)候，不管是一些審稿人還是學(xué)生，都會(huì)馬上去想到“吸收校正”（不知道這個(gè)想法起源于何處），然后很多同學(xué)會(huì)莫名地把90%的原因歸結(jié)于此。甚至在沒有看過數(shù)據(jù)的情況下，立刻的回答就是去做吸收校正。然而對(duì)于常見的莫名其妙的鬼峰的原因，比如晶體和測(cè)試的問題，卻常常被忽略。這里面的原因有很多，我相信大多數(shù)同學(xué)拿到手的數(shù)據(jù)都只是hkl，而不是衍射圖。很多時(shí)候如果不是刻2024
07-24應(yīng)用分享 | TOF-SIMS在光電器件研究中的應(yīng)用二
引言寬帶隙鈣鈦礦（1.68eV）是兩端鈣鈦礦/硅疊層太陽電池的重要前電池吸光材料。然而，這類寬帶隙鈣鈦礦太陽電池中存在大量缺陷誘導(dǎo)的非輻射電荷復(fù)合，導(dǎo)致器件開路電壓（VOC）遠(yuǎn)低于理論值，嚴(yán)重限制了器件效率的進(jìn)一步提升。深能級(jí)受體缺陷是影響VOC的主要因素，缺陷鈍化是提供器件效率的有效策略。TOF-SIMS應(yīng)用成果近日，陜西師范大學(xué)方志敏&馮江山&劉生忠團(tuán)隊(duì)通過采用氟化物輔助表面梯度鈍化的策略獲得了光電轉(zhuǎn)換效率（PCE）高達(dá)21.63%，VOC達(dá)1.239V（VOC損失低至441mV）的寬帶隙鈣2024
07-24應(yīng)用分享 | PHI XPS對(duì)科學(xué)研究的重要作用
回顧2022年，ULVAC-PHI各個(gè)系列的XPS儀器——VersaProbe、Quantera和Quantes對(duì)科研發(fā)展和技術(shù)進(jìn)步做出了重要貢獻(xiàn)。據(jù)統(tǒng)計(jì)，借助PHIXPS設(shè)備，2022年已發(fā)表超過4400篇的學(xué)術(shù)出版物，包括期刊文章和書籍等。其中，有99項(xiàng)工作發(fā)表在《Nature》和《Science》等高影響力期刊上。例如，我們的用戶利用PHIVersaProbe設(shè)備對(duì)嵌入磁性CoNi合金顆粒的摻氮碳纖維復(fù)合材料表面進(jìn)行了表征，研究發(fā)現(xiàn)該材料表現(xiàn)出優(yōu)異的電磁波吸收性能。該項(xiàng)工作發(fā)表于《Coll2024
07-17應(yīng)用分享 | TOF-SIMS在光電器件研究中的應(yīng)用
引言光伏發(fā)電新能源技術(shù)對(duì)于實(shí)現(xiàn)碳中和目標(biāo)具有重要意義。近年來，基于有機(jī)-無機(jī)雜化鈣鈦礦的光電太陽能電池器件取得了飛速的發(fā)展，目前報(bào)道的光電轉(zhuǎn)化效率已接近26%。鹵化物鈣鈦礦材料具有無限的組分調(diào)整空間，因此表現(xiàn)出優(yōu)異的可調(diào)控的光電性質(zhì)。然而，由于多組分的引入，鈣鈦礦材料生長(zhǎng)過程中會(huì)出現(xiàn)多相競(jìng)爭(zhēng)問題，導(dǎo)致薄膜初始組分分布不均一，這嚴(yán)重降低了器件效率和壽命。圖1.鈣鈦礦晶體結(jié)構(gòu)TOF-SIMS應(yīng)用成果由于目前用于高性能太陽能電池的混合鹵化物過氧化物中的陽離子和陰離子的混合物經(jīng)常發(fā)生元素和相分離，這限制2024
07-17應(yīng)用分享 | HAXPES∣多層結(jié)構(gòu)器件界面的無損深度分析案例
XPS的探測(cè)深度在10nm以內(nèi)，然而對(duì)于實(shí)際的器件，研究對(duì)象往往會(huì)超過10nm的信息深度，特別是在一些電氣設(shè)備中，有源層總是被掩埋在較厚的電極之下。因此，利用XPS分析此類樣品，需要結(jié)合離子刻蝕技術(shù)。顯然，離子刻蝕存在擇優(yōu)濺射效應(yīng)，特別是對(duì)于金屬氧化物，會(huì)破壞樣品原始的化學(xué)態(tài)，導(dǎo)致只憑常規(guī)XPS無法直接對(duì)埋層區(qū)域進(jìn)行無損深度分析。好在研究表明增加X射線的光子能量可以增加探測(cè)深度。對(duì)此，ULVAC-PHI推出了實(shí)驗(yàn)室HAXPES設(shè)備，且可同時(shí)配備微聚焦單色化AlKα(1486.6eV)源和單色化C2024
07-17應(yīng)用分享 | X射線反射率(X-ray reflectivity, XRR)
XRR是什么?XRR是一種方便、快速的分析單層或多層薄膜和表面的方法，是一種納米尺度上的分析方法，同時(shí)可實(shí)現(xiàn)無損分析。例如，通過原子層沉積(ALD)技術(shù)沉積的薄膜可以用XRR表征薄膜的厚度、密度和界面的粗糙度，同樣也適用于其他方法制備的薄膜，如通過分子層沉積(MLD)沉積的有機(jī)/無機(jī)超晶格。與光學(xué)橢偏法不同，該方法不需要預(yù)先了解薄膜的光學(xué)性質(zhì)，也不需要假設(shè)薄膜的光學(xué)性質(zhì)。然而，XRR不能提供有關(guān)材料晶體結(jié)構(gòu)的信息，并且多層膜只能在有限的深度內(nèi)表征。XRR簡(jiǎn)單原理介紹XRR分析可以在晶體和非晶材料2024
07-10應(yīng)用分享 | 原位冷凍TOF-SIMS對(duì)斑馬魚RPE組織的生物成像
飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜（TOF-SIMS），也叫靜態(tài)二次離子質(zhì)譜，是飛行時(shí)間和二次離子質(zhì)譜結(jié)合的一種新的表面分析技術(shù)。因其免標(biāo)記、高靈敏、多組分檢測(cè)和高空間分辨成像等優(yōu)勢(shì)，為諸多生命科學(xué)問題的研究提供了重要的技術(shù)支持。近年來，TOF-SIMS在基礎(chǔ)細(xì)胞生物學(xué)、組織生理病理學(xué)、生物醫(yī)藥與臨床醫(yī)學(xué)等領(lǐng)域的研究中被廣泛應(yīng)用。圖1.“水中小白鼠”斑馬魚（左）；冷凍干燥的斑馬魚頭部截面的光學(xué)顯微鏡圖像（右）。小科普：斑馬魚（zebrafish）被稱為“水中小白鼠”，是生物學(xué)家的理想實(shí)驗(yàn)對(duì)象。斑馬魚和人類的基2024
07-10應(yīng)用分享 | 鋰離子電池充放電下的原位XPS表征
鋰離子電池(LIBs)和鋰金屬電池(LMB)都是多層的復(fù)雜體系，具有多種材料和界面，每個(gè)膜層和界面在性能和穩(wěn)定性方面都起著關(guān)鍵作用。調(diào)整這些材料的組成和形態(tài)就可以創(chuàng)建更穩(wěn)定、性能更高的器件，但這些材料非常難以處理和表征。鋰金屬極其容易發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，形成枝晶，枝晶會(huì)刺穿隔膜造成短路，鋰金屬負(fù)極在充放電過程中也會(huì)明顯收縮，破壞保護(hù)的固體電解質(zhì)(SEI)膜，降低使用壽命和效率。SEI膜形成的LiF層可以對(duì)金屬鋰表面起到鈍化效果，減少鋰枝晶的形成，以提高電池的耐用性，因此開發(fā)性能穩(wěn)定的SEI已經(jīng)成為一個(gè)2024
07-10布魯克全新臺(tái)式D6 PHASER應(yīng)用報(bào)告（五）—?dú)堄鄳?yīng)力分析
殘余應(yīng)力是材料在經(jīng)過焊接、鑄造、成型、機(jī)械加工或薄膜沉積等過程中殘留在材料中的內(nèi)應(yīng)力。殘余應(yīng)力分析對(duì)于了解這些內(nèi)應(yīng)力如何影響部件的性能和使用壽命非常重要。此外，殘余應(yīng)力分析還可以確定特定的材料特性和失效機(jī)制，從而用于構(gòu)件和零件的設(shè)計(jì)。傳統(tǒng)上，殘余應(yīng)力的測(cè)試只能在大型落地式衍射儀上進(jìn)行，臺(tái)式衍射儀通常用于簡(jiǎn)單的測(cè)試項(xiàng)目，比如物相分析。而D6PHASER是一款多功能臺(tái)式衍射儀，它不僅可以進(jìn)行常規(guī)的粉末衍射分析，還可以進(jìn)行薄膜測(cè)試（GID、XRR）、織構(gòu)和應(yīng)力測(cè)試、對(duì)分布函數(shù)測(cè)試（PDF）、透射測(cè)試、2024
07-02應(yīng)用分享 | PHI TOF-SIMS助力鋰電的綠色可持續(xù)發(fā)展戰(zhàn)略
PHITOF-SIMSAssistingTheGreenａndSustainableDevelopmentStrategyofLithiumBattery隨著國(guó)內(nèi)新能源汽車銷量高速增長(zhǎng)，動(dòng)力電池裝機(jī)量也隨之迅速攀升。鑒于新能源汽車動(dòng)力電池的平均使用壽命約為6~8年，動(dòng)力電池在未來2-3年內(nèi)將迎來大規(guī)模退役潮，因此動(dòng)力電池的回收已成為全國(guó)甚至全球相關(guān)產(chǎn)業(yè)可持續(xù)發(fā)展的關(guān)鍵。鋰的回收需要考慮諸多問題，如回收效率、回收成本、環(huán)境污染以及方法的可行性等。傳統(tǒng)的廢鋰回收方法主要有火法冶金、濕法冶金、生物冶金2024
07-022024
07-02布魯克全新臺(tái)式D6 PHASER應(yīng)用報(bào)告系列（四）— 分子篩表征
X射線衍射（XRD）是表征有序材料結(jié)構(gòu)的重要工具。高角度的相干散射可以反映原子的排列。在非常低的角度也可以觀察到相干信號(hào)，這些信號(hào)可以用來表征分子篩材料（比如ZSM-41或SBA-15）中圓柱形孔的周期性排列。案例分析低角度數(shù)據(jù)采集需要嚴(yán)格控制空氣散射和照在樣品上的光斑面積。通過適當(dāng)?shù)剡x擇一個(gè)固定尺寸的主光路發(fā)散狹縫和一個(gè)固定的防空氣散射屏，可控制上述的兩個(gè)條件。在D6PHASER上使用動(dòng)態(tài)光束優(yōu)化(DBO)系統(tǒng)，從而使光路和光斑的控制更加的方便和優(yōu)化可調(diào)。DBO包含可變發(fā)散狹縫（VDS）、馬達(dá)2024
06-272024
06-27應(yīng)用分享 | AES在月壤研究中的應(yīng)用
面是指固體表面一個(gè)或數(shù)個(gè)原子層的區(qū)域，是與外界進(jìn)行物質(zhì)交換和能量交換的通道，其性質(zhì)（如化學(xué)組成、原子排列、電子狀態(tài)等）與體相具有諸多不同，但是材料的表面行為往往決定了材料/器件的功用和性能。因此，表面分析對(duì)于新材料、新技術(shù)的研發(fā)至關(guān)重要。常用的表面分析技術(shù)主要有XPS、AES和TOF-SIMS等，其中，AES技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)納米尺度特征的表面進(jìn)行化學(xué)分析。俄歇電子能譜儀（AugerElectronSpectroscopy，AES）采用場(chǎng)發(fā)射電子源入射樣品的表面，激發(fā)出二次電子（用于形貌觀察）以及俄2024
06-27應(yīng)用分享 | 二次離子質(zhì)譜中的基體效應(yīng)
在使用二次離子質(zhì)譜（SIMS）技術(shù)對(duì)樣品進(jìn)行定量分析時(shí)，常遇到一系列棘手的問題：即便在濃度相同、測(cè)試條件一致的情況下，同一組分在不同的化學(xué)環(huán)境中二次離子產(chǎn)額可能跨越幾個(gè)數(shù)量級(jí)；此外，即便同一組樣品，使用相同設(shè)備和實(shí)驗(yàn)條件、在不同時(shí)間段內(nèi)測(cè)到的二次離子信號(hào)強(qiáng)度也可能會(huì)有所差異。在SIMS分析中，常將實(shí)驗(yàn)條件和樣品化學(xué)性質(zhì)差異等因素導(dǎo)致二次離子產(chǎn)額發(fā)生變化的現(xiàn)象統(tǒng)稱為基體效應(yīng)（matrixeffect）。在這期文章，我們將介紹SIMS分析中的基體效應(yīng)，并分析基體效應(yīng)對(duì)SIMS測(cè)試和定量分析所帶來的影2024
06-13應(yīng)用分享 | AES在鈦合金增材制造中的應(yīng)用
Ti-6Al-4V是一種典型的α+β型兩相鈦合金，在航空、醫(yī)療器械、艦船等方面應(yīng)用普遍。鑒于鈦對(duì)氧的親和性好，電子束熔煉（EBM）是鈦合金增材制造推薦工藝。然而，在EBM工藝中，只有部分粉末會(huì)熔化和凝固，為節(jié)省成本，合理利用資源，對(duì)于用過的且符合特定化學(xué)成分的Ti-6Al-4V粉末需要進(jìn)行篩分、回收和重復(fù)利用。為進(jìn)一步研究Ti-6Al-4V粉末在重復(fù)使用過程中表面局部位置形貌和化學(xué)變化，本案例對(duì)多次回收的粉末做了詳盡的AES（PHI700）和XPS（PHI5000VersaProbeIII）表征2024
06-13應(yīng)用分享 | 淺談光學(xué)帶隙和電學(xué)帶隙差異
帶隙（BandGap），亦被稱為禁帶寬度，是半導(dǎo)體材料的重要參數(shù)之一。它不僅揭示了價(jià)電子被束縛的緊密程度，還是衡量半導(dǎo)體光學(xué)性能*與否的重要指標(biāo)。此外，帶隙決定了激發(fā)該半導(dǎo)體所必須的較小能量閾值。在光電轉(zhuǎn)換器件，如太陽能電池和發(fā)光二極管等領(lǐng)域，帶隙的測(cè)量對(duì)深入理解半導(dǎo)體的電學(xué)和光學(xué)特性，以及探索其實(shí)際應(yīng)用價(jià)值，具有不可替代的物理和現(xiàn)實(shí)意義。過去，科研人員主要通過循環(huán)伏安法或結(jié)合UPS與光學(xué)吸收法來測(cè)量帶隙和能級(jí)排列。然而，隨著反光電子能譜技術(shù)（InversePhotoemissionSpectr掃一掃訪問手機(jī)商鋪
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