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簡(jiǎn)介: 簡(jiǎn)要描述:電漿原子層沉積設(shè)備是一種基于常規(guī)ALD的方法,其利用電漿作為裂化前驅(qū)物材料的條件,而不是僅依靠來(lái)自加熱基板的熱能。......
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簡(jiǎn)介: 簡(jiǎn)要描述:原子層沉積設(shè)備為一種氣相化學(xué)沉積技術(shù)。大多數(shù)的ALD反應(yīng),將使用兩種化學(xué)物質(zhì)稱為前驅(qū)物。這些前驅(qū)物以連續(xù)且自限的方式與材料表面進(jìn)行反應(yīng)。......
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簡(jiǎn)介: 簡(jiǎn)要描述:原子層沉積系統(tǒng)是基于順序使用氣相化學(xué)過(guò)程的最重要技術(shù)之一;它可以被視為一種特殊類型的化學(xué)氣相沉積(CVD)。多數(shù)ALD反應(yīng)使用兩種或更多種化學(xué)物質(zhì)......
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簡(jiǎn)介: 簡(jiǎn)要描述:批量式電漿輔助氣相沉積設(shè)備為一種使用化學(xué)氣相沉積技術(shù),可為沉積反應(yīng)提供能量。與傳統(tǒng)的CVD方法相比,可在較低的溫度下沉積各種薄膜且不會(huì)降低薄膜......
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簡(jiǎn)介: 簡(jiǎn)要描述:FPD-PECVD電漿輔助化學(xué)氣相沉積:隨著LCD面板和制造所需玻璃的尺寸的增加,其制造設(shè)備也變得更大,需要越來(lái)越大的設(shè)備投資。SYSKEY針對(duì)中小尺寸的需求......
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簡(jiǎn)介: 簡(jiǎn)要描述:感應(yīng)耦合電漿化學(xué)氣相沉積設(shè)備是一種使用ICP的化學(xué)氣相沉積技術(shù),可為沉積反應(yīng)提供一些能量。與PECVD方法相比,ICP-CVD可以在較低的溫度下沉積各種薄......
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簡(jiǎn)介: 簡(jiǎn)要描述:低真空化學(xué)氣相沉積設(shè)備是一種化學(xué)氣相沉積技術(shù),利用熱能在基板表面上引發(fā)前驅(qū)氣體的反應(yīng)。表面的反應(yīng)是形成固化材料的原因。......
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簡(jiǎn)介: 簡(jiǎn)要描述:電漿輔助式化學(xué)氣相沉積設(shè)備是一種使用電漿的化學(xué)氣相沉積(CVD)技術(shù),可為沉積反應(yīng)提供一些能量。與傳統(tǒng)的CVD方法相比,PECVD可以在較低的溫度下沉積......
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