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CY-PECVD50-1200-Q 三溫區(qū)PECVD石墨烯制備
- 公司名稱 鄭州成越科學(xué)儀器有限公司
- 品牌
- 型號 CY-PECVD50-1200-Q
- 產(chǎn)地
- 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)廠家
- 更新時(shí)間 2025/7/31 10:45:19
- 訪問次數(shù) 74
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等離子增強(qiáng)CVD系統(tǒng)由等離子發(fā)生器,三溫區(qū)管式爐、射頻電源、真空系統(tǒng)組成。等離子增強(qiáng)CVD系統(tǒng)為了使化學(xué)反應(yīng)能在較低的溫度下進(jìn)行,利用了等離子體的活性來促進(jìn)反應(yīng),因而這種CVD稱為等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法(PECVD), 該P(yáng)ECVD石墨烯薄膜制備設(shè)備借助13.56Mhz的射頻輸出等使含有薄膜組成原子的氣體電離,在真空腔體內(nèi)形成等離子體,利用等離子的強(qiáng)化學(xué)活性,改善反應(yīng)條件,利用等離子體的活性來促進(jìn)反應(yīng),在基片上沉積出所期望的薄膜。
三溫區(qū)PECVD應(yīng)用范圍:
等離子增強(qiáng)CVD系統(tǒng)可以用于:石墨烯制備、硫化物制備、納米材料制備等多種試驗(yàn)場所??稍谄瑺罨蝾愃菩螤顦悠繁砻娉练eSiOx、SiNx、非晶硅、微晶硅、納米硅、SiC、類金剛石等多種薄膜,并可沉積p型、n型摻雜薄膜。沉積的薄膜具有良好的均勻性、致密性、粘附性、絕緣性。廣泛應(yīng)用于刀具、高精模具、硬質(zhì)涂層、高duan裝飾等領(lǐng)域
三溫區(qū)PECVD技術(shù)參數(shù):
產(chǎn)品名稱 | 三溫區(qū)PECVD |
產(chǎn)品型號 | CY-PECVD50-1200-Q |
三溫區(qū)管式爐 | 工作溫度:0-1100℃ 控溫精度:±1℃ 控溫方式:AI-PID 30段工藝曲線,可存儲多條 爐管材質(zhì):高純石英 爐管尺寸:φ50mm I.D x 1400mm L 加熱溫區(qū):三溫區(qū) 200mm+200mm+200mm 密封方式:不銹鋼真空法蘭 極限真空度:4.4E-3Pa |
射頻電源 | 輸出功率:0-300W zui大可調(diào)±1% RF頻率: 13.56MHz,穩(wěn)定性±0.005% 噪聲:≤55DB 冷卻:風(fēng)冷 |
質(zhì)量流量計(jì) | 三路質(zhì)量流量計(jì) 閥門類型:不銹鋼針閥 氣路數(shù)量:三路 承壓范圍:-0.15Mpa~0.15Mpa 量程 1~200 SCCM 1~200 SCCM 1~500 SCCM 流量控制范圍:±1.5% 氣路材料:304不銹鋼 管道接口:6.35mm卡套接頭 |
真空系統(tǒng) | 配有一套分子泵系統(tǒng),采用一鍵式操作 600L/S |
水冷系統(tǒng) | CW-3200 |
電壓 | 220V 50HZ |
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