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詳細摘要：CVD Graphene sheets have been deposited onto 50 micron thick Cu foils using modified chemical vapor technique. In our method, we have paid close attention to engineering defect density and single doma

詳細摘要：The 3D Graphene Foam is deposited comformably onto Nickel foam foils by chemical vapor deposition （CVD） process.

詳細摘要：材料簡介：
三維石墨烯網(wǎng)絡是在泡沫金屬基底上通過化學氣相沉積高溫生長石墨烯薄膜層，借助泡沫基底的三維多孔骨架，生長成石墨烯的三維網(wǎng)絡。三維石墨烯具有體表面積大，導電性佳，質(zhì)量輕等特點。
應用領(lǐng)域：
1）適用于超級電容、鋰離子電

詳細摘要：維石墨烯網(wǎng)絡是在泡沫金屬基底上通過化學氣相沉積高溫生長石墨烯薄膜層，借助泡沫基底的三維多孔骨架，生長成石墨烯的三維網(wǎng)絡。三維石墨烯具有體表面積大，導電性佳，質(zhì)量輕等特點。

詳細摘要：金屬有機骨架材料（MOFs）是近十年來發(fā)展迅速的一種配位聚合物，具有三維的孔結(jié)構(gòu)，一般以金屬離子為連接點，有機配體位支撐構(gòu)成空間3D延伸，系沸石和碳納米管之外的又一類重要的新型多孔材料，在催化，儲能和分離中都有廣泛應用。

詳細摘要：Substrate:
Sapphire （c-cut）
Quartz （Silica）
TEM grids （please supply grids）
Thermal Oxide （SiO2/Si）
Polyethylene terephthalate – PET Substrates
Pick your own substrates （please define the substrate ty

詳細摘要：三維石墨烯網(wǎng)絡是在泡沫金屬基底上通過化學氣相沉積高溫生長石墨烯薄膜層，借助泡沫基底的三維多孔骨架，生長成石墨烯的三維網(wǎng)絡。三維石墨烯具有體表面積大，導電性佳，質(zhì)量輕等特點。

詳細摘要：尺寸：1*1cm/5*5cm/10*10cm
層數(shù)：單層
晶粒：單晶/多晶，50~300um

詳細摘要：CVD Graphene/CVD Hexagonal Boron Nitride heterostructure on SiO2/Si wafer

詳細摘要：形狀：可任意裁剪
尺寸：1*1cm/5*5cm/10*10cm
層數(shù)：單層
晶粒：單晶/多晶，50~300um

詳細摘要：CVD Graphene/CVD Hexagonal Boron Nitride heterostructure on SiO2/Si wafer

詳細摘要：兩種不同的半導體相接觸所形成的界面區(qū)域稱為異質(zhì)結(jié)，低維材料在線可以定制不同層數(shù)和結(jié)構(gòu)的異質(zhì)結(jié)材料

詳細摘要：形狀：可任意裁剪
尺寸：1*1cm
襯底：紫銅
層數(shù)：單層
晶粒：單晶/多晶，50~300um

詳細摘要：德國2DNext大面積機械剝離單層材料（WSe2, WS2, MoS2）尺寸>75*75um
尺寸：>75*75um
德國2D Next主要提供機械剝離的超大尺寸二維材料，可以提供在眾多基底上的轉(zhuǎn)移技術(shù)，如二氧化硅，藍寶石，CVD金剛石等，可用材料包括MoS2，WS2，WS

詳細摘要：二氧化硅基底石墨烯（1*1'' 單層） Graphene on SiO2
表面電阻：小于600Ω/sq
定做：＜300Ω/sq
透明度：> 95%
制備方法：
1）采用化學氣相沉積方法制備銅基石墨烯
2）石墨烯從銅轉(zhuǎn)移到硅襯底

詳細摘要：形狀：可任意裁剪
尺寸：1*1cm/2*2cm/5*5cm/10*10cm
層數(shù)：單層
晶粒：單晶/多晶，50~300um

詳細摘要：硅基底石墨烯（1*1'' 單層） Graphene on Si
表面電阻：小于600Ω/sq
定做：＜300Ω/sq
透明度：> 95%
制備方法：
1）采用化學氣相沉積方法制備銅基石墨烯
2）石墨烯從銅轉(zhuǎn)移到硅襯底

詳細摘要：硅基底石墨烯（1*1cm單層） Graphene on Si
表面電阻：小于600Ω/sq
定做：＜300Ω/sq
透明度：> 95%
制備方法：
1）采用化學氣相沉積方法制備銅基石墨烯
2）石墨烯從銅轉(zhuǎn)移到硅襯底

詳細摘要：二氧化硅基底石墨烯（1*1cm單層） Graphene on SiO2
表面電阻：小于600Ω/sq
定做：＜300Ω/sq
透明度：> 95%
制備方法：
1）采用化學氣相沉積方法制備銅基石墨烯
2）石墨烯從銅轉(zhuǎn)移到硅襯底

詳細摘要：Luminosyn™ DPP-DTT （also referred to as PDPP2T-TT-OD） is now available featuring