国产精品视频一区二区三区四,亚洲av美洲av综合av,99国内精品久久久久久久,欧美电影一区二区三区电影

詳細(xì)摘要：銅基底石墨烯（進(jìn)口） Graphene on Copper Foil
制備方法：氣相沉積法
化學(xué)氣相沉積石墨烯層：1/2/3~5/6~8
尺寸：可定制

詳細(xì)摘要：塑料基底石墨烯 Graphene on Plastic
說明：石墨烯轉(zhuǎn)移到塑料基材（一個(gè)聚合物主要含有聚酯和其他成分（10%））。
表面電阻：小于600Ω/sq
定制：＜300Ω/sq
透明度：> 95%

詳細(xì)摘要：石墨烯紙（非導(dǎo)電） Graphene Film-Super Paper
直徑：40毫米
厚度：20um
電導(dǎo)率：非導(dǎo)電，8x10-2 S / M
拉伸模數(shù)>20 GPa
顏色：黑色，棕色或黃色
易彎曲，靈活

詳細(xì)摘要：多層石墨烯（進(jìn)口） Multi-layer Graphene
CVD石墨烯層數(shù)：2－8
基材：銅箔/硅/二氧化硅/PET/塑料/玻璃/石英

詳細(xì)摘要：石墨烯紙（導(dǎo)電） Graphene Film-Super Paper
直徑：40毫米
厚度：20微米
導(dǎo)電性：2x103s /米
拉伸模數(shù)：>10 GPa
顏色：黑色
高導(dǎo)熱率：> 1000W／m.K
易彎曲，靈活

詳細(xì)摘要：High purtiy WS2 crystals have been I2 （iodine） intercalated to achieve p-type doping.

詳細(xì)摘要：Synthetic MoS2 crystals have been I2 （iodine） intercalated to achieve p-type doping.

詳細(xì)摘要：Our newest class of material: Sb2xAs2（1-x）S3 comes in perfect 1:1:3 stoichiometry consisting of Sb-Sb-S3 atoms.

詳細(xì)摘要：Niobium atoms are perfectly incorporated into ReS? matrix.

詳細(xì)摘要：Rhenium atoms perfectly incorporated into MoS? matrix.

詳細(xì)摘要：Our MoWS2 alloys with the chemical formula MoxW（1-x）S2 crystals perfectly crystallize in 2H phase and come at different alloy ratios x.

詳細(xì)摘要：Molybdenum atoms perfectly incorporated into ReS2 matrix.

詳細(xì)摘要：Niobium atoms are perfectly incorporated into ReS? matrix.

詳細(xì)摘要：CuS is a member of metal chalcogenides （see our GaSe and GaTe products）.

詳細(xì)摘要：Bismuth Telluride Sulfide （Bi?Te?.?S?.?） is developed at our facilities.

詳細(xì)摘要：Bismuth sulfide （Bi?S?） Developed at our facilities in the last five （5） years to optimize the perfect stoichiometry.

詳細(xì)摘要：As2S3 comes in perfect 2:3 stoichiometry.

詳細(xì)摘要：硫磷化銅（銦摻雜）晶體（99.995%） CuInP2S6
晶體類型：合成
晶體純度：＞99.995%
低維材料層狀過渡金屬化合物材料，新增材料：
FeCl2,NbS3,GaTeI,InSe,CuInP2S6,WSSe,Fe3GeTe2,NiI2,FePS3,MnPSe3,MnPS3,NiPS3,PdSe2

詳細(xì)摘要：三硫化鎳（磷摻雜）晶體（99.995%） NiPS3
晶體類型：合成
晶體純度：＞99.995%
低維材料層狀過渡金屬化合物材料，新增材料：
FeCl2,NbS3,GaTeI,InSe,CuInP2S6,WSSe,Fe3GeTe2,NiI2,FePS3,MnPSe3,MnPS3,NiPS3,PdSe2

詳細(xì)摘要：三硫化錳（磷摻雜）晶體（99.995%） MnPS3
晶體類型：合成
晶體純度：＞99.995%
低維材料層狀過渡金屬化合物材料，新增材料：
FeCl2,NbS3,GaTeI,InSe,CuInP2S6,WSSe,Fe3GeTe2,NiI2,FePS3,MnPSe3,MnPS3,NiPS3,PdSe2